Л.М. Блинова,
В.М. Фридкина,
С.П. Палтоа,
А.В. Бунеб,
П.А. Даубенб,
С. Дюшармб аФедеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" РАН, Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова РАН, Ленинский просп. 59, Москва, 119333, Российская Федерация бDepartment of Physics and Astronomy, Behlen Laboratory of Physics, Center for Materials Research and Analysis, University of Nebraska-Linkoln, Linkoln, NE, USA
Изучение размерного эффекта в сегнетоэлектрических кристаллах и пленках было ограничено экспериментальными условиями, так как наименьшие кристаллы имели размер ~200 Å, a самые тонкие пленки — толщину ~200 Å. Техника Ленгмюра-Блоджетт позволила получить сегнетоэлектрические пленки высокого качества из поливинилиден фторида и его сополимеров толщиной 10 Å, с помощью которых впервые удалось изучить размерный эффект на атомарном уровне. Пленки Ленгмюра-Блоджетт оказались двумерными сегнетоэлектриками и не обнаружили так называемой критической толщины. Пленки толщиной в два монослоя (1 нм) обнаруживают сегнетоэлектричество и фазовый переход первого рода из сегнето- в парафазу при температуре, близкой к температуре перехода, наблюдаемой в объемном материале. Эти пленки обладают всеми свойствами сегнетоэлектрика с фазовым переходом первого рода. Они обнаруживают переключение с петлями диэлектрического гистерезиса, скачок спонтанной поляризации при температуре фазового перехода, температурный гистерезис, двойные петли гистерезиса выше температуры фазового перехода, критическую точку на диаграмме поле-температура. Кроме этого, в двумерных пленках найден новый фазовый переход, природа которого обсуждается.
%0 Journal Article
%T Двумерные сегнетоэлектрики
%A Л. М. Блинов
%A В. М. Фридкин
%A С. П. Палто
%A А. В. Буне
%A П. А. Даубен
%A С. Дюшарм
%I Успехи физических наук
%D 2000
%J Усп. физ. наук
%V 170
%N 3
%P 247-262
%U https://ufn.ru/ru/articles/2000/3/b/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.0170.200003b.0247