Выпуски

 / 

1998

 / 

Июль

  

Конференции и симпозиумы


Кулоновская щель и фазовый переход металл-изолятор в легированных полупроводниках


Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

Сессия РАН 26.11. 1997 г.

Текст pdf (604 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1998v041n07ABEH000422
PACS: 71.30.+h
DOI: 10.3367/UFNr.0168.199807h.0804
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/7/h/
000075638400007
Цитата: Забродский А Г "Кулоновская щель и фазовый переход металл-изолятор в легированных полупроводниках" УФН 168 804–808 (1998)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
@article{Zabrodskii:1998,
	author = {А. Г. Забродский},
	title = {Кулоновская щель и фазовый переход металл – изолятор в легированных полупроводниках},
	publisher = {Успехи физических наук},
	year = {1998},
	journal = {Усп. физ. наук},
	volume = {168},
	number = {7},
	pages = {804-808},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/1998/7/h/},
	doi = {10.3367/UFNr.0168.199807h.0804}
}

English citation: Zabrodskii A G “Coulomb gap and metal-insulator transitions in doped semiconductorsPhys. Usp. 41 722–726 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n07ABEH000422

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение