RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 4, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

1998

 / 

Июль

←  →

Конференции и симпозиумы


Кулоновская щель и фазовый переход металл-изолятор в легированных полупроводниках


Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

Сессия РАН 26.11. 1997 г.

Текст pdf (604 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1998v041n07ABEH000422
PACS: 71.30.+h
DOI: 10.3367/UFNr.0168.199807h.0804
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/7/h/
000075638400007
Цитата: Забродский А Г "Кулоновская щель и фазовый переход металл-изолятор в легированных полупроводниках" УФН 168 804–808 (1998)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Zabrodskii A G “Coulomb gap and metal-insulator transitions in doped semiconductors” Phys. Usp. 41 722–726 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n07ABEH000422

Список литературы (18) Статьи, ссылающиеся на эту (14) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Joseph J, Wang J et al Mater. Res. Express 7 046405 (2020)
  2. Druzhinin A A, Ostrovsky I P et al ТКЭА (4-5) 47 (2016)
  3. Bogoslovskiy N A, Petrov P V et al Semiconductors 50 888 (2016)
  4. Fedotov A K, Svito I A et al Semiconductors 49 705 (2015)
  5. Lu Ch, Quindeau A et al 105 (8) (2014)
  6. Ji Yu‐Chen, Zhang Hua‐Xing et al Physica Status Solidi (b) 250 2145 (2013)
  7. González J C, Ribeiro G M et al J. Phys. D: Appl. Phys. 46 155107 (2013)
  8. Petrov P V, Ivánov Yu L et al Solid State Communications 152 2185 (2012)
  9. Harutyunyan S L J. Contemp. Phys. 44 19 (2009)
  10. Harutyunyan S L J. Contemp. Phys. 44 99 (2009)
  11. Haroutunian S L Phys. Solid State 47 604 (2005)
  12. Yakimov A I, Nenashev A V et al Jetp Lett. 78 241 (2003)
  13. Veinger A I, Zabrodskii A G, Tisnek T V Semiconductors 36 772 (2002)
  14. Poklonskii N A, Lopatin S Yu, Zabrodskii A G Phys. Solid State 42 441 (2000)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение