Кулоновская щель и фазовый переход металл-изолятор в легированных полупроводниках
А.Г. Забродский Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Политехническая ул. 26, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация
Сессия РАН 26.11. 1997 г.
PACS:71.30.+h DOI: URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/7/h/ 000075638400007 Цитата: Забродский А Г "Кулоновская щель и фазовый переход металл-изолятор в легированных полупроводниках" УФН168 804–808 (1998)
BibTex
English
@article{Zabrodskii:1998,author = {A. G. Zabrodskii},title = {Coulomb gap and metalinsulator transitions in doped semiconductors},publisher = {Uspekhi Fizicheskikh Nauk},year = {1998},journal = {Usp. Fiz. Nauk},volume = {168},number = {7},pages = {804-808},url = {https://ufn.ru/ru/articles/1998/7/h/},doi = {10.3367/UFNr.0168.199807h.0804}}