Выпуски

 / 

1998

 / 

Июль

  

Конференции и симпозиумы


Кулоновская щель и фазовый переход металл-изолятор в легированных полупроводниках


Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

Сессия РАН 26.11. 1997 г.

Текст pdf (604 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1998v041n07ABEH000422
PACS: 71.30.+h
DOI: 10.3367/UFNr.0168.199807h.0804
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/7/h/
000075638400007
Цитата: Забродский А Г "Кулоновская щель и фазовый переход металл-изолятор в легированных полупроводниках" УФН 168 804–808 (1998)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Coulomb gap and metal–insulator transitions in doped semiconductors
A1 Zabrodskii,A.G.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1998
FD 10 Jul, 1998
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 168
IS 7
SP 804-808
DO 10.3367/UFNr.0168.199807h.0804
LK https://ufn.ru/ru/articles/1998/7/h/

English citation: Zabrodskii A G “Coulomb gap and metal-insulator transitions in doped semiconductorsPhys. Usp. 41 722–726 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n07ABEH000422

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение