Кулоновская щель и фазовый переход металл-изолятор в легированных полупроводниках
А.Г. Забродский Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация
Сессия РАН 26.11. 1997 г.
PACS:71.30.+h DOI:10.3367/UFNr.0168.199807h.0804 URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/7/h/ 000075638400007 Цитата: Забродский А Г "Кулоновская щель и фазовый переход металл-изолятор в легированных полупроводниках" УФН168 804–808 (1998)
RT Journal
T1 Coulomb gap and metalinsulator transitions in doped semiconductors
A1 Zabrodskii,A.G.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1998
FD 10 Jul, 1998
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 168
IS 7
SP 804-808
DO 10.3367/UFNr.0168.199807h.0804
LK https://ufn.ru/ru/articles/1998/7/h/