Кулоновская щель и фазовый переход металл-изолятор в легированных полупроводниках
А.Г. Забродский Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация
Сессия РАН 26.11. 1997 г.
PACS:71.30.+h DOI:10.3367/UFNr.0168.199807h.0804 URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/7/h/ 000075638400007 Цитата: Забродский А Г "Кулоновская щель и фазовый переход металл-изолятор в легированных полупроводниках" УФН168 804–808 (1998)
PT Journal Article
TI Coulomb gap and metalinsulator transitions in doped semiconductors
AU Zabrodskii A G
FAU Zabrodskii AG
DP 10 Jul, 1998
TA Usp. Fiz. Nauk
VI 168
IP 7
PG 804-808
RX 10.3367/UFNr.0168.199807h.0804
URL https://ufn.ru/ru/articles/1998/7/h/
SO Usp. Fiz. Nauk 1998 Jul 10;168(7):804-808