Кулоновская щель и фазовый переход металл-изолятор в легированных полупроводниках
А.Г. Забродский Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация
Сессия РАН 26.11. 1997 г.
PACS:71.30.+h DOI:10.3367/UFNr.0168.199807h.0804 URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/7/h/ 000075638400007 Цитата: Забродский А Г "Кулоновская щель и фазовый переход металл-изолятор в легированных полупроводниках" УФН168 804–808 (1998)
TY JOUR
TI Coulomb gap and metalinsulator transitions in doped semiconductors
AU Zabrodskii, A. G.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1998
JO Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JA Usp. Fiz. Nauk
VL 168
IS 7
SP 804-808
UR https://ufn.ru/ru/articles/1998/7/h/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0168.199807h.0804