Выпуски

 / 

1998

 / 

Июль

  

Конференции и симпозиумы


Кулоновская щель и фазовый переход металл-изолятор в легированных полупроводниках


Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

Сессия РАН 26.11. 1997 г.

Текст pdf (604 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1998v041n07ABEH000422
PACS: 71.30.+h
DOI: 10.3367/UFNr.0168.199807h.0804
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/7/h/
000075638400007
Цитата: Забродский А Г "Кулоновская щель и фазовый переход металл-изолятор в легированных полупроводниках" УФН 168 804–808 (1998)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Coulomb gap and metal–insulator transitions in doped semiconductors
AU Zabrodskii, A. G.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1998
JO Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JA Usp. Fiz. Nauk
VL 168
IS 7
SP 804-808
UR https://ufn.ru/ru/articles/1998/7/h/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0168.199807h.0804

English citation: Zabrodskii A G “Coulomb gap and metal-insulator transitions in doped semiconductorsPhys. Usp. 41 722–726 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n07ABEH000422

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение