RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 10, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

1997

 / 

Май

←  →

Конференции и симпозиумы


Спонтанное упорядочение полупроводниковых наноструктур

 а,  б,  б,  б, в, г,  б,  б
а Institut für Festkörperphysik, Technische Universität, Hardenbergstr. 36, Berlin, 10623, Germany
б Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Политехническая ул. 26, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация
в Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, ул. Хлопина 8, корп. 3, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация
г Vertically Integrated Systems (VI Systems GmbH), Hardenbergstr 7, Berlin, 10623, Germany
Текст pdf (215 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1997v040n05ABEH001565
PACS: 68.90.+g, 73.90.+f (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0167.199705k.0552
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1997/5/k/
Цитата: Бимберг Д, Ипатова И П, Копьев П С, Леденцов Н Н, Малышкин В Г, Щукин В А "Спонтанное упорядочение полупроводниковых наноструктур" УФН 167 552 (1997)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Bimberg D, Ipatova I P, Kop’ev P S, Ledentsov N N, Malyshkin V G, Shchukin V A “Spontaneous ordering of semiconductor nanostructures” Phys. Usp. 40 529–532 (1997); DOI: 10.1070/PU1997v040n05ABEH001565

Список литературы (12) Статьи, ссылающиеся на эту (1) Похожие статьи (19) ↓

  1. Д. Бимберг, И.П. Ипатова и др. «Научная сессия Отделения общей физики и астрономии Российской академии наук (29 января 1997 г.)» УФН 167 552 (1997)
  2. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов и др. «Упорядоченные массивы квантовых точек в полупроводниковых матрицах» УФН 166 423–428 (1996)
  3. Ж.И. Алферов, Д. Бимберг и др. «Напряженные субмонослойные гетероструктуры и гетероструктуры с квантовыми точками» УФН 165 224–225 (1995)
  4. Л.Е. Воробьев, Д.А. Фирсов и др. «Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами» УФН 169 459–464 (1999)
  5. В.М. Устинов, Н.А. Малеев и др. «Вертикально-излучающие приборы на основе структур с квантовыми точками» УФН 171 855 (2001)
  6. В.М. Устинов, Н.А. Малеев и др. «Научная сессия Отделения общей физики и астрономии Российской академии наук (31 января 2001 г.)» УФН 171 855–857 (2001)
  7. Н.А. Гиппиус, В.Д. Кулаковский, С.Г. Тиходеев «Влияние перераспределения электрического поля на электронные и оптические свойства наноструктур» УФН 167 558–562 (1997)
  8. В.С. Днепровский «Нелинейные оптические свойства полупроводниковых квантовых проводов и точек» УФН 166 432–434 (1996)
  9. Л.В. Бутов «Аномальный транспорт и люминесценция непрямых экситонов в двойных квантовых ямах» УФН 168 127–132 (1998)
  10. Т. Инн, А. Торнтон и др. «InAs квантовая точка в роли квантового микроскопа для исследования двумерного электронного газа» УФН 168 132–134 (1998)
  11. В.Б. Тимофеев, А.В. Ларионов и др. «Междуямная излучательная рекомбинация двумерного электронного газа в двойных квантовых ямах с напряжением смещения» УФН 168 117–120 (1998)
  12. В.Д. Кулаковский, М. Бауэр и др. «Экситонные комплексы в InGaAs/GaAs квантовых точках» УФН 168 123–127 (1998)
  13. Г. Финкельштейн, Х. Штрикман, И. Бар-Джозеф «Процессы отдачи в двумерном электронном газе в GaAs/AlGaAs квантовых ямах в сильных магнитных полях» УФН 168 121–123 (1998)
  14. В.Г. Лифшиц, Ю.Л. Гаврилюк и др. «Поверхностные фазы на кремнии» УФН 170 569–571 (2000)
  15. С.В. Иванов, П.С. Копьев, А.А. Торопов «Сине-зеленые лазеры на основе короткопериодных сверхрешеток в системе А2В6» УФН 169 468–471 (1999)
  16. И.Л. Крестников, В.В. Лундин и др. «Гетероструктуры на основе нитридов третьей группы: технология, свойства, светоизлучающие приборы» УФН 171 857–858 (2001)
  17. С.Г. Тиходеев, Н.А. Гиппиус и др. «Наноплазмоника и метаматериалы (Научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук, 27 апреля 2009 г.)» УФН 179 1003–1030 (2009)
  18. Т.В. Шубина, С.В. Иванов и др. «Плазмонные эффекты в наноструктурах на основе In(Ga)N» УФН 179 1007–1012 (2009)
  19. Н.Н. Леденцов, Дж.А. Лотт «Новое поколение вертикально-излучающих лазеров как ключевой элемент компьютерно-коммуникационной эры» УФН 181 884–890 (2011)

Список формируется автоматически.
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение