В полупроводниковых материалах, из которых состоят такие оптоэлектронные приборы как полупроводниковые лазеры и светодиоды, очень существенны процессы излучательной рекомбинации, при которых и происходит рождение световых квантов. Эти полупроводниковые структуры состоят из эпитаксиальных слоев малой толщины, и эффективность излучательной рекомбинации в них существенно зависит от наличия структурных дефектов типа дислокаций, обычно являющихся центрами безызлучательной рекомбинации, и точечных дефектов. Последние обычно распределены по слоям неоднородно, что влечет за собой неоднородное распределение излучательных характеристик по слоям или мелким элементам структур. В связи с этим катодолюминесцентная сканирующая микроскопия, позволяющая контролировать распределение излучательных характеристик на микроуровне, является незаменимой при исследовании таких структур. Эффективность ее использования зависит от правильности понимания процессов, происходящих при взаимодействии электронного зонда с полупроводником и приводящих к возникновению светового излучения. Очень важно знать возможности и информативность метода.

PACS: 07.79.−v, 61.16.Ch DOI: 10.3367/UFNr.0166.199608c.0859 URL: https://ufn.ru/ru/articles/1996/8/c/ A1996VH30900003 Цитата: Петров В И "Катодолюминесцентная микроскопия" УФН 166 859–871 (1996) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks Русский English RT Journal T1 Cathodoluminescence microscopy A1 Petrov,V.I. PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk PY 1996 FD 10 Aug, 1996 JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk JO Usp. Fiz. Nauk VO 166 IS 8 SP 859-871 DO 10.3367/UFNr.0166.199608c.0859 LK https://ufn.ru/ru/articles/1996/8/c/ English citation: Petrov V I “Cathodoluminescence microscopy” Phys. Usp. 39 807–818 (1996); DOI: 10.1070/PU1996v039n08ABEH000162