В полупроводниковых материалах, из которых состоят такие оптоэлектронные приборы как полупроводниковые лазеры и светодиоды, очень существенны процессы излучательной рекомбинации, при которых и происходит рождение световых квантов. Эти полупроводниковые структуры состоят из эпитаксиальных слоев малой толщины, и эффективность излучательной рекомбинации в них существенно зависит от наличия структурных дефектов типа дислокаций, обычно являющихся центрами безызлучательной рекомбинации, и точечных дефектов. Последние обычно распределены по слоям неоднородно, что влечет за собой неоднородное распределение излучательных характеристик по слоям или мелким элементам структур. В связи с этим катодолюминесцентная сканирующая микроскопия, позволяющая контролировать распределение излучательных характеристик на микроуровне, является незаменимой при исследовании таких структур. Эффективность ее использования зависит от правильности понимания процессов, происходящих при взаимодействии электронного зонда с полупроводником и приводящих к возникновению светового излучения. Очень важно знать возможности и информативность метода.

PACS: 07.79.−v, 61.16.Ch DOI: 10.3367/UFNr.0166.199608c.0859 URL: https://ufn.ru/ru/articles/1996/8/c/ A1996VH30900003 Цитата: Петров В И "Катодолюминесцентная микроскопия" УФН 166 859–871 (1996) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS) MedlineRefWorks Русский English PT Journal Article TI Катодолюминесцентная микроскопия AU Петров В И FAU Петров ВИ DP 10 Aug, 1996 TA Усп. физ. наук VI 166 IP 8 PG 859-871 RX 10.3367/UFNr.0166.199608c.0859 URL https://ufn.ru/ru/articles/1996/8/c/ SO Усп. физ. наук 1996 Aug 10;166(8):859-871 English citation: Petrov V I “Cathodoluminescence microscopy” Phys. Usp. 39 807–818 (1996); DOI: 10.1070/PU1996v039n08ABEH000162