Выпуски

 / 

1996

 / 

Август

  

Обзоры актуальных проблем


Катодолюминесцентная микроскопия


Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Воробьевы горы, Москва, 119991, Российская Федерация

В полупроводниковых материалах, из которых состоят такие оптоэлектронные приборы как полупроводниковые лазеры и светодиоды, очень существенны процессы излучательной рекомбинации, при которых и происходит рождение световых квантов. Эти полупроводниковые структуры состоят из эпитаксиальных слоев малой толщины, и эффективность излучательной рекомбинации в них существенно зависит от наличия структурных дефектов типа дислокаций, обычно являющихся центрами безызлучательной рекомбинации, и точечных дефектов. Последние обычно распределены по слоям неоднородно, что влечет за собой неоднородное распределение излучательных характеристик по слоям или мелким элементам структур. В связи с этим катодолюминесцентная сканирующая микроскопия, позволяющая контролировать распределение излучательных характеристик на микроуровне, является незаменимой при исследовании таких структур. Эффективность ее использования зависит от правильности понимания процессов, происходящих при взаимодействии электронного зонда с полупроводником и приводящих к возникновению светового излучения. Очень важно знать возможности и информативность метода.

Текст pdf (480 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1996v039n08ABEH000162
PACS: 07.79.−v, 61.16.Ch
DOI: 10.3367/UFNr.0166.199608c.0859
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1996/8/c/
A1996VH30900003
Цитата: Петров В И "Катодолюминесцентная микроскопия" УФН 166 859–871 (1996)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Petrov V I “Cathodoluminescence microscopyPhys. Usp. 39 807–818 (1996); DOI: 10.1070/PU1996v039n08ABEH000162

Список литературы (41) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (18) Похожие статьи (20)

  1. Moskvin A V Katodoluminestsentsiya Chaps 1, 2 (Cathodolumines-cence) (Moscow-Leningrad: Gostekhizdat, 1948-1949))
  2. Translation into Russian, Pankove J I Optical Processes in Semiconductors (Moscow: Mir, 1973])
  3. Yacobi B G, Holt D B Cathodoluminescence Microscopy of Inorganic Solids (New York, London: Plenum Press, 1990)
  4. a) Gareeva A R et al Izv. Ros. Akad. Nauk, Ser. Fiz. 59 ((9)) 200 (1995); a) Gareeva A R et al Bull. Rus. Acad. Sci., Ser. Phys. 59 ((9)) ((1995)]); b) Mitdank R et al Semicond. Sci. Technol. 10 835 (1995)
  5. Bethe H Ann. Phys. (Leipzig) 5 325 (1930)
  6. Kanaya K, Okayama S J. Phys. D: Appl. Phys. 5 43 (1972)
  7. Saparin G V et al Vestnik Mask. Univ., Fiz. Astron. 24 ((3)) 56 (1983); Saparin G V et al Moscow Univ. Phys. Bull. 24 66 (1983)
  8. Yacobi B G, Holt D B J. Appl. Phys. 59 R1 (1986)
  9. Bresse J-F Mater. Sci. Eng. B 24 229 (1994)
  10. Gareeva A R et al Vestnik Mosk. Univ. Fiz. Astron. 31 ((2)) 33 (1990); Gareeva A R et al Moscow Univ. Phys. Bull. 31 ((2)) ((1990)])
  11. El'tekov V A, Gvozdover R S, Petrov V I Izv. Akad. Nauk SSSR, Ser. Fiz. 52 ((7)) 1376 (1988); El'tekov V A, Gvozdover R S, Petrov V I Bull. Acad. Sci. USSR, Phys. Ser. 52 ((7)) 1376 (1988)
  12. Gareeva A R, Petrov V I, Chizhov G A Vestnik Mask. Univ., Fiz. Astron. 30 ((1)) 23 (1989); Gareeva A R, Petrov V I, Chizhov G A Moscow University Physics Bull. 30 ((1)) ((1989)])
  13. Leisegang S Elektronenmikroskopie (Berlin-Göttingen-Heidelberg: Springer-Verlag, 1956); Translation into Russian, Leisegang S Elektronenmikroskopie (Moscow: Izd. In. Liter., 1960) p. 136
  14. Glaser W Grundlager der Elektronenoptik (Wien: Springer-Verlag, 1952); Translation into Russian, Glaser W Grundlager der Elektronenoptik (Moscow: Gostekhteorizdat, 1957) p. 703
  15. Spivak G V et al Pis'ma Zh. Eksp. Tear. Fiz. 21 ((1)) 38 (1975); Spivak G V et al JETP Lett. 21 ((1)) 17 (1975)
  16. Araujo D et al Mater. Sci. Eng. B 24 124 (1994)
  17. Warwick C A J. de Phys. IV 1 C6-117 (1991)
  18. Spivak G V et al Fiz. Tekh. Poluprovodn. 14 1934 (1980); Spivak G V et al Sov. Phys. Semicond. 14 ((10)) 1151 (1980)
  19. Wada K et al Jpn. J. Appl. Phys. 127 L1952 (1988)
  20. Samuelson L et al J. Vac. Sci. Technol. B 12 2521 (1994)
  21. Goldstein J I et al Proc. of the 10th Annual Scanning Electron Microscopy Symposium, Chicago, IL., USA, 1977 (Chicago, IL.: IIT Res. Inst., 1977) p. 315
  22. Koschek G, Kubalek E Scanning 7 ((4)) 199 (1985)
  23. Petrov V I et al Izv. Akad. Nauk. SSSR, Ser. Fiz. 51 ((3)) 443 (1987); Petrov V I et al Bull. Acad. Sci. USSR, Phys. Ser. 51 ((3)) 25 (1987)
  24. Cusano D A Sol. State Commun. 2 353 (1964)
  25. Petrov V I, Prokhorov V A Izv. Akad. Nauk SSSR, Ser. Fiz. 48 ((2)) 263 (1984); Petrov V I, Prokhorov V A Bull. Acad. Sci. USSR, Phys. Ser. 48 ((2)) 46 (1984); Petrov V I, Prokhorov V A, Yunovich A E Fiz. Tekh. Poluprovodn. 18 ((3)) 484 (1984); Petrov V I, Prokhorov V A, Yunovich A E Sov. Phys. Semicond. 18 ((3)) 300 (1984)
  26. Kyser D F. Wittry D B The Electron Microprobe (Eds T D McKinley, K F J Heinrich, D B Wittry) (New York: Wiley, 1964) p. 691
  27. Petrov V I et al Izv. Akad. Nauk SSSR. Ser. Fiz. 48 ((12)) 2404 (1984); Petrov V I et al Bull. Acad. Sci. USSR, Phys. Ser. 48 ((12)) 107 (1984)
  28. Esaki L, Tsu R IBM J. Res. Develop. 14 61 (1970)
  29. Bimberg D et al Superlattices and Microstructures 4 257 (1988)
  30. Norris C B, Barnes C E, Zanio K R J. Appl. Phys. 48 1659 (1977)
  31. Holt D B, Saba F M Scanning Electron Microscopy (USA) Pt. 3 1023 (1985)
  32. Spivak G V, Saparin G V, Antoshin M K Usp. Fiz. Nauk 113 695 (1974); Spivak G V, Saparin G V, Antoshin M K Sov. Phys. Usp. 17 595 (1975)
  33. Gippius A A, Vavilov V S Ionnaya implantatsiya v poluprovodnikakh i drugikh materialakh (Ion Implantation in Semiconductors and Other Materials) (Vilnus: Izd. Minvuz Lit. SSR, 1985) p. 59
  34. Bimberg D et al Phys. Rev. B 31 7788 (1985)
  35. Bhalla R J R S. White E W J. Appl. Phys. 41 2267 (1970)
  36. Kiflawi I, Lang A R Phil. Mag. 30 219 (1974)
  37. Kiflawi I, Lang A R Phil. Mag. 33 697 (1976)
  38. Pennycook S J et al Phil. Mag. A 41 589 (1980)
  39. Yamamoto N et al Phil. Mag. B 49 609 (1984)
  40. Spivak G V et al Izv. Akad. Nauk SSSR, Ser. Fiz. 41 876 (1977); Spivak G V et al Bull. Acad. Sci. USSR, Phys. Ser. ((1977)])
  41. Rich D H et al Phys. Rev. B 43 6836 (1991)

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение