Выпуски

 / 

1996

 / 

Август

  

Обзоры актуальных проблем


Катодолюминесцентная микроскопия


Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Воробьевы горы, Москва, 119991, Российская Федерация

В полупроводниковых материалах, из которых состоят такие оптоэлектронные приборы как полупроводниковые лазеры и светодиоды, очень существенны процессы излучательной рекомбинации, при которых и происходит рождение световых квантов. Эти полупроводниковые структуры состоят из эпитаксиальных слоев малой толщины, и эффективность излучательной рекомбинации в них существенно зависит от наличия структурных дефектов типа дислокаций, обычно являющихся центрами безызлучательной рекомбинации, и точечных дефектов. Последние обычно распределены по слоям неоднородно, что влечет за собой неоднородное распределение излучательных характеристик по слоям или мелким элементам структур. В связи с этим катодолюминесцентная сканирующая микроскопия, позволяющая контролировать распределение излучательных характеристик на микроуровне, является незаменимой при исследовании таких структур. Эффективность ее использования зависит от правильности понимания процессов, происходящих при взаимодействии электронного зонда с полупроводником и приводящих к возникновению светового излучения. Очень важно знать возможности и информативность метода.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 07.79.−v, 61.16.Ch
DOI: 10.3367/UFNr.0166.199608c.0859
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1996/8/c/
Цитата: Петров В И "Катодолюминесцентная микроскопия" УФН 166 859–871 (1996)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Petrov V I “Cathodoluminescence microscopyPhys. Usp. 39 807–818 (1996); DOI: 10.1070/PU1996v039n08ABEH000162

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение