Исследуются проблемы динамики заряженных частиц высоких энергий в прямых и изогнутых кристаллах. Рассматриваются различные методы описания рассеяния частиц в кристаллах: борновское приближение, классическая электродинамика, эйкональное приближение. Исследуемые проблемы относятся к теории нелинейных систем, в которых возможны как регулярный, так и хаотический режимы движения. Рассматриваются различные режимы движения при каналировании и при надбарьерном движении частиц в кристалле вдоль одной из кристаллографических осей. Особое внимание уделяется изучению движения частиц в изогнутом кристалле, который может быть использован для поворотов пучков частиц высоких энергий.
PACS:61.80.Az, 61.80.Mk, 05.45.+b DOI:10.3367/UFNr.0165.199510c.1165 URL: https://ufn.ru/ru/articles/1995/10/c/ Цитата: Ахиезер А И, Шульга Н Ф, Трутень В И, Гриненко А А, Сыщенко В В "Динамика заряженных частиц высоких энергий в прямых и изогнутых кристаллах" УФН165 1165–1192 (1995)