Исследуются проблемы динамики заряженных частиц высоких энергий в прямых и изогнутых кристаллах. Рассматриваются различные методы описания рассеяния частиц в кристаллах: борновское приближение, классическая электродинамика, эйкональное приближение. Исследуемые проблемы относятся к теории нелинейных систем, в которых возможны как регулярный, так и хаотический режимы движения. Рассматриваются различные режимы движения при каналировании и при надбарьерном движении частиц в кристалле вдоль одной из кристаллографических осей. Особое внимание уделяется изучению движения частиц в изогнутом кристалле, который может быть использован для поворотов пучков частиц высоких энергий.