Динамика заряженных частиц высоких энергий в прямых и изогнутых кристаллах

А.И. Ахиезер, Н.Ф. Шульга, В.И. Трутень, А.А. Гриненко, В.В. Сыщенко
Национальный научный центр «Харьковский физико-технический институт», ул. Академическая 1, Харьков, 310108, Украина

Исследуются проблемы динамики заряженных частиц высоких энергий в прямых и изогнутых кристаллах. Рассматриваются различные методы описания рассеяния частиц в кристаллах: борновское приближение, классическая электродинамика, эйкональное приближение. Исследуемые проблемы относятся к теории нелинейных систем, в которых возможны как регулярный, так и хаотический режимы движения. Рассматриваются различные режимы движения при каналировании и при надбарьерном движении частиц в кристалле вдоль одной из кристаллографических осей. Особое внимание уделяется изучению движения частиц в изогнутом кристалле, который может быть использован для поворотов пучков частиц высоких энергий.

Текст pdf (1,3 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1995v038n10ABEH000114

PACS: 61.80.Az, 61.80.Mk, 05.45.+b
DOI: 10.3367/UFNr.0165.199510c.1165
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1995/10/c/
Web of Science

A1995TF63500003
Цитата: Ахиезер А И, Шульга Н Ф, Трутень В И, Гриненко А А, Сыщенко В В "Динамика заряженных частиц высоких энергий в прямых и изогнутых кристаллах" УФН 165 1165–1192 (1995)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

@article{Akhiezer:1995,
	author = {А. И. Ахиезер and Н. Ф. Шульга and В. И. Трутень and А. А. Гриненко and В. В. Сыщенко},
	title = {Динамика заряженных частиц высоких энергий в прямых и изогнутых кристаллах},
	publisher = {Успехи физических наук},
	year = {1995},
	journal = {Усп. физ. наук},
	volume = {165},
	number = {10},
	pages = {1165-1192},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/1995/10/c/},
	doi = {10.3367/UFNr.0165.199510c.1165}
}

English citation: Akhiezer A I, Shul’ga N F, Truten’ V I, Grinenko A A, Syshchenko V V “Dynamics of high-energy charged particles in straight and bent crystals” Phys. Usp. 38 1119–1145 (1995); DOI: 10.1070/PU1995v038n10ABEH000114