Физические основы моделирования объемных интегральных схем СВЧ и КВЧ

Изложены основные фундаментальные принципы и представлены физические модели ОИС СВЧ и основы ее проектирования. Обсуждены принципы математического моделирования линий и базовых элементов. Рассмотрен топологический подход к описанию электромагнитного поля в элементах ОИС СВЧ на электродинамическом уровне строгости. Рассмотрены конструкции базовых элементов, функциональных узлов, устройств обработки сигнала информационных датчиков, а также физико-технологические аспекты их создания на ОИС СВЧ. Ил. 9. Библиогр. ссылок 105.

Текст pdf (475 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1992v035n03ABEH002223

PACS: 84.40.Lj, 84.40.Az (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0162.199203c.0129
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1992/3/c/
Цитата: Гвоздев В И, Кузаев Г А, Нефедов Е И, Яшин А А "Физические основы моделирования объемных интегральных схем СВЧ и КВЧ" УФН 162 (3) 129–160 (1992)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

Русский

English

RT Journal
T1 Physical principles of the modeling of three-dimensional microwave and extremely high frequency integrated circuits
A1 Gvozdev,V.I.
A1 Kuzaev,G.A.
A1 Nefedov,E.I.
A1 Yashin,A.A.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1992
FD 10 Mar, 1992
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 162
IS 3
SP 129-160
DO 10.3367/UFNr.0162.199203c.0129
LK https://ufn.ru/ru/articles/1992/3/c/

English citation: Gvozdev V I, Kuzaev G A, Nefedov E I, Yashin A A “Physical principles of the modeling of three-dimensional microwave and extremely high frequency integrated circuits” Sov. Phys. Usp. 35 (3) 212–230 (1992); DOI: 10.1070/PU1992v035n03ABEH002223