Выпуски

 / 

1992

 / 

Март

  

Приборы и методы исследований


Физические основы моделирования объемных интегральных схем СВЧ и КВЧ

Изложены основные фундаментальные принципы и представлены физические модели ОИС СВЧ и основы ее проектирования. Обсуждены принципы математического моделирования линий и базовых элементов. Рассмотрен топологический подход к описанию электромагнитного поля в элементах ОИС СВЧ на электродинамическом уровне строгости. Рассмотрены конструкции базовых элементов, функциональных узлов, устройств обработки сигнала информационных датчиков, а также физико-технологические аспекты их создания на ОИС СВЧ. Ил. 9. Библиогр. ссылок 105.

Текст pdf (475 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1992v035n03ABEH002223
PACS: 84.40.Lj, 84.40.Az (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0162.199203c.0129
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1992/3/c/
Цитата: Гвоздев В И, Кузаев Г А, Нефедов Е И, Яшин А А "Физические основы моделирования объемных интегральных схем СВЧ и КВЧ" УФН 162 (3) 129–160 (1992)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Физические основы моделирования объемных интегральных схем СВЧ и КВЧ
A1 Гвоздев,В.И.
A1 Кузаев,Г.А.
A1 Нефедов,Е.И.
A1 Яшин,А.А.
PB Успехи физических наук
PY 1992
FD 10 Mar, 1992
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 162
IS 3
SP 129-160
DO 10.3367/UFNr.0162.199203c.0129
LK https://ufn.ru/ru/articles/1992/3/c/

English citation: Gvozdev V I, Kuzaev G A, Nefedov E I, Yashin A A “Physical principles of the modeling of three-dimensional microwave and extremely high frequency integrated circuitsSov. Phys. Usp. 35 (3) 212–230 (1992); DOI: 10.1070/PU1992v035n03ABEH002223

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение