Физические основы моделирования объемных интегральных схем СВЧ и КВЧ

Изложены основные фундаментальные принципы и представлены физические модели ОИС СВЧ и основы ее проектирования. Обсуждены принципы математического моделирования линий и базовых элементов. Рассмотрен топологический подход к описанию электромагнитного поля в элементах ОИС СВЧ на электродинамическом уровне строгости. Рассмотрены конструкции базовых элементов, функциональных узлов, устройств обработки сигнала информационных датчиков, а также физико-технологические аспекты их создания на ОИС СВЧ. Ил. 9. Библиогр. ссылок 105.

Текст pdf (475 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1992v035n03ABEH002223

PACS: 84.40.Lj, 84.40.Az (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0162.199203c.0129
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1992/3/c/
Цитата: Гвоздев В И, Кузаев Г А, Нефедов Е И, Яшин А А "Физические основы моделирования объемных интегральных схем СВЧ и КВЧ" УФН 162 (3) 129–160 (1992)

BibTexBibNote ® (generic)

BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

TY JOUR
TI Физические основы моделирования объемных интегральных схем СВЧ и КВЧ
AU Гвоздев, В. И.
AU Кузаев, Г. А.
AU Нефедов, Е. И.
AU Яшин, А. А.
PB Успехи физических наук
PY 1992
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 162
IS 3
SP 129-160
UR https://ufn.ru/ru/articles/1992/3/c/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0162.199203c.0129

English citation: Gvozdev V I, Kuzaev G A, Nefedov E I, Yashin A A “Physical principles of the modeling of three-dimensional microwave and extremely high frequency integrated circuits” Sov. Phys. Usp. 35 (3) 212–230 (1992); DOI: 10.1070/PU1992v035n03ABEH002223