Физические основы моделирования объемных интегральных схем СВЧ и КВЧ

Изложены основные фундаментальные принципы и представлены физические модели ОИС СВЧ и основы ее проектирования. Обсуждены принципы математического моделирования линий и базовых элементов. Рассмотрен топологический подход к описанию электромагнитного поля в элементах ОИС СВЧ на электродинамическом уровне строгости. Рассмотрены конструкции базовых элементов, функциональных узлов, устройств обработки сигнала информационных датчиков, а также физико-технологические аспекты их создания на ОИС СВЧ. Ил. 9. Библиогр. ссылок 105.

Текст pdf (475 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1992v035n03ABEH002223

PACS: 84.40.Lj, 84.40.Az (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0162.199203c.0129
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1992/3/c/
Цитата: Гвоздев В И, Кузаев Г А, Нефедов Е И, Яшин А А "Физические основы моделирования объемных интегральных схем СВЧ и КВЧ" УФН 162 (3) 129–160 (1992)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)

MedlineRefWorks

Русский

English

PT Journal Article
TI Physical principles of the modeling of three-dimensional microwave and extremely high frequency integrated circuits
AU Gvozdev V I
FAU Gvozdev VI
AU Kuzaev G A
FAU Kuzaev GA
AU Nefedov E I
FAU Nefedov EI
AU Yashin A A
FAU Yashin AA
DP 10 Mar, 1992
TA Usp. Fiz. Nauk
VI 162
IP 3
PG 129-160
RX 10.3367/UFNr.0162.199203c.0129
URL https://ufn.ru/ru/articles/1992/3/c/
SO Usp. Fiz. Nauk 1992 Mar 10;162(3):129-160

English citation: Gvozdev V I, Kuzaev G A, Nefedov E I, Yashin A A “Physical principles of the modeling of three-dimensional microwave and extremely high frequency integrated circuits” Sov. Phys. Usp. 35 (3) 212–230 (1992); DOI: 10.1070/PU1992v035n03ABEH002223