Физические основы моделирования объемных интегральных схем СВЧ и КВЧ

Изложены основные фундаментальные принципы и представлены физические модели ОИС СВЧ и основы ее проектирования. Обсуждены принципы математического моделирования линий и базовых элементов. Рассмотрен топологический подход к описанию электромагнитного поля в элементах ОИС СВЧ на электродинамическом уровне строгости. Рассмотрены конструкции базовых элементов, функциональных узлов, устройств обработки сигнала информационных датчиков, а также физико-технологические аспекты их создания на ОИС СВЧ. Ил. 9. Библиогр. ссылок 105.

Текст pdf (475 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1992v035n03ABEH002223

PACS: 84.40.Lj, 84.40.Az (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0162.199203c.0129
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1992/3/c/
Цитата: Гвоздев В И, Кузаев Г А, Нефедов Е И, Яшин А А "Физические основы моделирования объемных интегральных схем СВЧ и КВЧ" УФН 162 (3) 129–160 (1992)

BibTex

BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

%0 Journal Article
%T Physical principles of the modeling of three-dimensional microwave and extremely high frequency integrated circuits
%A V. I. Gvozdev
%A G. A. Kuzaev
%A E. I. Nefedov
%A A. A. Yashin
%I Uspekhi Fizicheskikh Nauk
%D 1992
%J Usp. Fiz. Nauk
%V 162
%N 3
%P 129-160
%U https://ufn.ru/ru/articles/1992/3/c/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.0162.199203c.0129

English citation: Gvozdev V I, Kuzaev G A, Nefedov E I, Yashin A A “Physical principles of the modeling of three-dimensional microwave and extremely high frequency integrated circuits” Sov. Phys. Usp. 35 (3) 212–230 (1992); DOI: 10.1070/PU1992v035n03ABEH002223