Выпуски

 / 

1989

 / 

Август

  

Обзоры актуальных проблем


Квазиаморфные полупроводники

Обзор экспериментальных данных исследований электрических, тепловых и оптических свойств высокобористых соединений и модификаций бора-тугоплавких кристаллов, отличающихся специфическим сложным строением. Показано, что в зависимости от степени сложности кристаллической структуры свойства материалов трансформируются, последовательно приближаясь к свойствам, характерным для аморфных полупроводников, идентифицирован поэтому новый класс материалов — квазиаморфные полупроводники. В предельном случае самых сложных структур их можно рассматривать как природные структурные модели аморфного полупроводника. Табл. 2. Ил. 15. Библиогр. ссылок 110 (114назв).

Текст pdf (747 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1989v032n08ABEH002746
PACS: 61.43.Dq, 72.80.Ng, 71.23.Cq (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0158.198908b.0581
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1989/8/b/
Цитата: Голикова О А "Квазиаморфные полупроводники" УФН 158 581–604 (1989)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Quasiamorphous semiconductors
A1 Golikova,O.A.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1989
FD 10 Aug, 1989
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 158
IS 8
SP 581-604
DO 10.3367/UFNr.0158.198908b.0581
LK https://ufn.ru/ru/articles/1989/8/b/

English citation: Golikova O A “Quasiamorphous semiconductorsSov. Phys. Usp. 32 665–677 (1989); DOI: 10.1070/PU1989v032n08ABEH002746

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение