Выпуски

 / 

1989

 / 

Август

  

Обзоры актуальных проблем


Квазиаморфные полупроводники

Обзор экспериментальных данных исследований электрических, тепловых и оптических свойств высокобористых соединений и модификаций бора-тугоплавких кристаллов, отличающихся специфическим сложным строением. Показано, что в зависимости от степени сложности кристаллической структуры свойства материалов трансформируются, последовательно приближаясь к свойствам, характерным для аморфных полупроводников, идентифицирован поэтому новый класс материалов — квазиаморфные полупроводники. В предельном случае самых сложных структур их можно рассматривать как природные структурные модели аморфного полупроводника. Табл. 2. Ил. 15. Библиогр. ссылок 110 (114назв).

Текст pdf (747 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1989v032n08ABEH002746
PACS: 61.43.Dq, 72.80.Ng, 71.23.Cq (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0158.198908b.0581
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1989/8/b/
Цитата: Голикова О А "Квазиаморфные полупроводники" УФН 158 581–604 (1989)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS) MedlineRefWorks
Русский English
PT Journal Article
TI Квазиаморфные полупроводники
AU Голикова О А
FAU Голикова ОА
DP 10 Aug, 1989
TA Усп. физ. наук
VI 158
IP 8
PG 581-604
RX 10.3367/UFNr.0158.198908b.0581
URL https://ufn.ru/ru/articles/1989/8/b/
SO Усп. физ. наук 1989 Aug 10;158(8):581-604

English citation: Golikova O A “Quasiamorphous semiconductorsSov. Phys. Usp. 32 665–677 (1989); DOI: 10.1070/PU1989v032n08ABEH002746

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение