Выпуски

 / 

1989

 / 

Август

  

Обзоры актуальных проблем


Квазиаморфные полупроводники

Обзор экспериментальных данных исследований электрических, тепловых и оптических свойств высокобористых соединений и модификаций бора-тугоплавких кристаллов, отличающихся специфическим сложным строением. Показано, что в зависимости от степени сложности кристаллической структуры свойства материалов трансформируются, последовательно приближаясь к свойствам, характерным для аморфных полупроводников, идентифицирован поэтому новый класс материалов — квазиаморфные полупроводники. В предельном случае самых сложных структур их можно рассматривать как природные структурные модели аморфного полупроводника. Табл. 2. Ил. 15. Библиогр. ссылок 110 (114назв).

Текст pdf (747 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1989v032n08ABEH002746
PACS: 61.43.Dq, 72.80.Ng, 71.23.Cq (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0158.198908b.0581
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1989/8/b/
Цитата: Голикова О А "Квазиаморфные полупроводники" УФН 158 581–604 (1989)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Квазиаморфные полупроводники
AU Голикова, О. А.
PB Успехи физических наук
PY 1989
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 158
IS 8
SP 581-604
UR https://ufn.ru/ru/articles/1989/8/b/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0158.198908b.0581

English citation: Golikova O A “Quasiamorphous semiconductorsSov. Phys. Usp. 32 665–677 (1989); DOI: 10.1070/PU1989v032n08ABEH002746

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение