Исследования свойств излучения при каналировании релятивистских электронов и позитронов, выполненные за последние восемь лет, показали, что можно изучать ряд свойств монокристаллов по особенностям спектра излучения, положению и ширине спектральных линий. Наибольшие успехи в этом направлении достигнуты в нахождении дебаевской температуры кристаллов, уточнении кристаллического потенциала, определении плотности электронов вблизи кристаллических цепочек и плоскостей. Вследствие локализации релятивистских электронов или позитронов вблизи определенных атомных плоскостей или цепочек спектр излучения каналированных частиц, в отличие от дифракционных методов, несет «прямую» информацию о кристаллическом потенциале. Метод позволяет исследовать корреляцию тепловых колебаний атомов в решетке, а также некоторые особенности сверхструктур и сложных кристаллов. Табл. 1. Ил. 10. Библиогр. ссылок 44