В обзоре рассматриваются свойства узких сверхпроводящих каналов, несущих постоянный ток. К числу изучаемых явлений относится устойчивость нормального состояния канала с током и механизмы перехода из нормального состояния в сверхпроводящее. Такой переход в однородном канале происходит путем образования критического зародыша и является переходом первого рода. В канале, имеющем неоднородности, картина перехода существенно изменяется. В этом случае нормальное состояние может существовать только до определенного значения тока, ниже которого оно является абсолютно неустойчивым. Основное внимание в обзоре уделяется теории резистивного состояния узких каналов, имеющего место при токах выше критического тока Гинзбурга — Ландау. Описание строится на представлении о центрах проскальзывания фазы. Рассмотрены феноменологические модели, а также модель флуктуационного возбуждения центров проскальзывания фазы. Значительная часть обзора посвящена описанию результатов, полученных из микроскопической динамической теории сверхпроводимости. Сюда относятся вольт-амперная характеристика резистивного состояния и скачки напряжения на ней, а также структура центров проскальзывания фазы. Табл. 1, илл. 22, библиогр. ссылок 66 (70 назв).

TY JOUR
TI Теория токовых состояний в узких сверхпроводящих каналах
AU Ивлев, Б. И.
AU Копнин, Н. Б.
PB Успехи физических наук
PY 1984
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 142
IS 3
SP 435-471
UR https://ufn.ru/ru/articles/1984/3/c/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0142.198403c.0435