В обзоре рассматриваются свойства узких сверхпроводящих каналов, несущих постоянный ток. К числу изучаемых явлений относится устойчивость нормального состояния канала с током и механизмы перехода из нормального состояния в сверхпроводящее. Такой переход в однородном канале происходит путем образования критического зародыша и является переходом первого рода. В канале, имеющем неоднородности, картина перехода существенно изменяется. В этом случае нормальное состояние может существовать только до определенного значения тока, ниже которого оно является абсолютно неустойчивым. Основное внимание в обзоре уделяется теории резистивного состояния узких каналов, имеющего место при токах выше критического тока Гинзбурга — Ландау. Описание строится на представлении о центрах проскальзывания фазы. Рассмотрены феноменологические модели, а также модель флуктуационного возбуждения центров проскальзывания фазы. Значительная часть обзора посвящена описанию результатов, полученных из микроскопической динамической теории сверхпроводимости. Сюда относятся вольт-амперная характеристика резистивного состояния и скачки напряжения на ней, а также структура центров проскальзывания фазы. Табл. 1, илл. 22, библиогр. ссылок 66 (70 назв).

%0 Journal Article
%T Теория токовых состояний в узких сверхпроводящих каналах
%A Б. И. Ивлев
%A Н. Б. Копнин
%I Успехи физических наук
%D 1984
%J Усп. физ. наук
%V 142
%N 3
%P 435-471
%U https://ufn.ru/ru/articles/1984/3/c/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.0142.198403c.0435