В обзоре рассматриваются свойства узких сверхпроводящих каналов, несущих постоянный ток. К числу изучаемых явлений относится устойчивость нормального состояния канала с током и механизмы перехода из нормального состояния в сверхпроводящее. Такой переход в однородном канале происходит путем образования критического зародыша и является переходом первого рода. В канале, имеющем неоднородности, картина перехода существенно изменяется. В этом случае нормальное состояние может существовать только до определенного значения тока, ниже которого оно является абсолютно неустойчивым. Основное внимание в обзоре уделяется теории резистивного состояния узких каналов, имеющего место при токах выше критического тока Гинзбурга — Ландау. Описание строится на представлении о центрах проскальзывания фазы. Рассмотрены феноменологические модели, а также модель флуктуационного возбуждения центров проскальзывания фазы. Значительная часть обзора посвящена описанию результатов, полученных из микроскопической динамической теории сверхпроводимости. Сюда относятся вольт-амперная характеристика резистивного состояния и скачки напряжения на ней, а также структура центров проскальзывания фазы. Табл. 1, илл. 22, библиогр. ссылок 66 (70 назв).

RT Journal
T1 Теория токовых состояний в узких сверхпроводящих каналах
A1 Ивлев,Б.И.
A1 Копнин,Н.Б.
PB Успехи физических наук
PY 1984
FD 10 Mar, 1984
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 142
IS 3
SP 435-471
DO 10.3367/UFNr.0142.198403c.0435
LK https://ufn.ru/ru/articles/1984/3/c/