Выпуски

 / 

1983

 / 

Июнь

  

Обзоры актуальных проблем


Электронные и колебательные спектры слоистых полупроводников группы А3В6

СОДЕРЖАНИЕ
1. Введение
2. Кристаллическое строение слоистых полупроводников группы А3В6
3. Фононные спектры слоистых полупроводников типа А3В6
4. Влияние анизотропии кристаллической решетки на экситонные состояния в слоистых кристаллах
5. Анизотропия экситонов в селениде галлия
6. Распределение плотности электронного заряда в слоистых полупроводниках группы А3В6
7. Заключение
Цитированная литература

Текст pdf (2,4 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1983v026n06ABEH004420
PACS: 71.25.Tn
DOI: 10.3367/UFNr.0140.198306b.0233
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1983/6/b/
Цитата: Беленький Г Л, Стопачинский В Б "Электронные и колебательные спектры слоистых полупроводников группы А3В6" УФН 140 233–270 (1983)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS) MedlineRefWorks
Русский English
PT Journal Article
TI Электронные и колебательные спектры слоистых полупроводников группы А3В6
AU Беленький Г Л
FAU Беленький ГЛ
AU Стопачинский В Б
FAU Стопачинский ВБ
DP 10 Jun, 1983
TA Усп. физ. наук
VI 140
IP 6
PG 233-270
RX 10.3367/UFNr.0140.198306b.0233
URL https://ufn.ru/ru/articles/1983/6/b/
SO Усп. физ. наук 1983 Jun 10;140(6):233-270

English citation: Belen’kii G L, Stopachinskii V B “Electronic and vibrational spectra of III-VI layered semiconductorsSov. Phys. Usp. 26 497–517 (1983); DOI: 10.1070/PU1983v026n06ABEH004420

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение