СОДЕРЖАНИЕ
1. Введение
2. Кристаллическое строение слоистых полупроводников группы А³В⁶
3. Фононные спектры слоистых полупроводников типа А³В⁶
4. Влияние анизотропии кристаллической решетки на экситонные состояния в слоистых кристаллах
5. Анизотропия экситонов в селениде галлия
6. Распределение плотности электронного заряда в слоистых полупроводниках группы А³В⁶
7. Заключение
Цитированная литература

@article{Belen'kii:1983,
	author = {Г. Л. Беленький and В. Б. Стопачинский},
	title = {Электронные и колебательные спектры слоистых полупроводников группы А3В6},
	publisher = {Успехи физических наук},
	year = {1983},
	journal = {Усп. физ. наук},
	volume = {140},
	number = {6},
	pages = {233-270},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/1983/6/b/},
	doi = {10.3367/UFNr.0140.198306b.0233}
}