Выпуски

 / 

1983

 / 

Июнь

  

Обзоры актуальных проблем


Электронные и колебательные спектры слоистых полупроводников группы А3В6

СОДЕРЖАНИЕ
1. Введение
2. Кристаллическое строение слоистых полупроводников группы А3В6
3. Фононные спектры слоистых полупроводников типа А3В6
4. Влияние анизотропии кристаллической решетки на экситонные состояния в слоистых кристаллах
5. Анизотропия экситонов в селениде галлия
6. Распределение плотности электронного заряда в слоистых полупроводниках группы А3В6
7. Заключение
Цитированная литература

Текст pdf (2,4 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1983v026n06ABEH004420
PACS: 71.25.Tn
DOI: 10.3367/UFNr.0140.198306b.0233
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1983/6/b/
Цитата: Беленький Г Л, Стопачинский В Б "Электронные и колебательные спектры слоистых полупроводников группы А3В6" УФН 140 233–270 (1983)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS) MedlineRefWorks
Русский English
PT Journal Article
TI Electronic and vibrational spectra of III-VI layered semiconductors
AU Belen’kii G L
FAU Belen’kii GL
AU Stopachinskii V B
FAU Stopachinskii VB
DP 10 Jun, 1983
TA Usp. Fiz. Nauk
VI 140
IP 6
PG 233-270
RX 10.3367/UFNr.0140.198306b.0233
URL https://ufn.ru/ru/articles/1983/6/b/
SO Usp. Fiz. Nauk 1983 Jun 10;140(6):233-270

English citation: Belen’kii G L, Stopachinskii V B “Electronic and vibrational spectra of III-VI layered semiconductorsSov. Phys. Usp. 26 497–517 (1983); DOI: 10.1070/PU1983v026n06ABEH004420

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение