Выпуски

 / 

1983

 / 

Июнь

  

Обзоры актуальных проблем


Электронные и колебательные спектры слоистых полупроводников группы А3В6

СОДЕРЖАНИЕ
1. Введение
2. Кристаллическое строение слоистых полупроводников группы А3В6
3. Фононные спектры слоистых полупроводников типа А3В6
4. Влияние анизотропии кристаллической решетки на экситонные состояния в слоистых кристаллах
5. Анизотропия экситонов в селениде галлия
6. Распределение плотности электронного заряда в слоистых полупроводниках группы А3В6
7. Заключение
Цитированная литература

Текст pdf (2,4 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1983v026n06ABEH004420
PACS: 71.25.Tn
DOI: 10.3367/UFNr.0140.198306b.0233
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1983/6/b/
Цитата: Беленький Г Л, Стопачинский В Б "Электронные и колебательные спектры слоистых полупроводников группы А3В6" УФН 140 233–270 (1983)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Electronic and vibrational spectra of III-VI layered semiconductors
A1 Belen’kii,G.L.
A1 Stopachinskii,V.B.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1983
FD 10 Jun, 1983
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 140
IS 6
SP 233-270
DO 10.3367/UFNr.0140.198306b.0233
LK https://ufn.ru/ru/articles/1983/6/b/

English citation: Belen’kii G L, Stopachinskii V B “Electronic and vibrational spectra of III-VI layered semiconductorsSov. Phys. Usp. 26 497–517 (1983); DOI: 10.1070/PU1983v026n06ABEH004420

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение