Траектории-ловушки и срыв диссипативных эффектов в полупроводниках

СОДЕРЖАНИЕ
1. Топология траекторий в импульсном пространстве
2. Срыв диссипативных эффектов
3. Размытие критических полей Н₁ и Н₂
4. Гаусс-амперные характеристики (эксперимент)
5. Неравновесность распределения в скрещенных полях
6. Инверсия дырок в германии
7. Переменные поля
Цитированная литература

Текст pdf (581 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1983v026n02ABEH004324

PACS: 72.20.Jv, 72.20.My, 72.20.Dp (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0139.198302f.0347
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1983/2/f/
Цитата: Левинсон И Б "Траектории-ловушки и срыв диссипативных эффектов в полупроводниках" УФН 139 347–355 (1983)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

Русский

English

RT Journal
T1 Trap trajectories and the cutoff of dissipative effects in semiconductors
A1 Levinson,I.B.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1983
FD 10 Feb, 1983
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 139
IS 2
SP 347-355
DO 10.3367/UFNr.0139.198302f.0347
LK https://ufn.ru/ru/articles/1983/2/f/

English citation: Levinson I B “Trap trajectories and the cutoff of dissipative effects in semiconductors” Sov. Phys. Usp. 26 176–181 (1983); DOI: 10.1070/PU1983v026n02ABEH004324