Выпуски

 / 

1983

 / 

Февраль

  

Из текущей литературы


Траектории-ловушки и срыв диссипативных эффектов в полупроводниках

СОДЕРЖАНИЕ
1. Топология траекторий в импульсном пространстве
2. Срыв диссипативных эффектов
3. Размытие критических полей Н1 и Н2
4. Гаусс-амперные характеристики (эксперимент)
5. Неравновесность распределения в скрещенных полях
6. Инверсия дырок в германии
7. Переменные поля
Цитированная литература

Текст pdf (581 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1983v026n02ABEH004324
PACS: 72.20.Jv, 72.20.My, 72.20.Dp (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0139.198302f.0347
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1983/2/f/
Цитата: Левинсон И Б "Траектории-ловушки и срыв диссипативных эффектов в полупроводниках" УФН 139 347–355 (1983)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
@article{Levinson:1983,
	author = {И. Б. Левинсон},
	title = {Траектории-ловушки и срыв диссипативных эффектов в полупроводниках},
	publisher = {Успехи физических наук},
	year = {1983},
	journal = {Усп. физ. наук},
	volume = {139},
	number = {2},
	pages = {347-355},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/1983/2/f/},
	doi = {10.3367/UFNr.0139.198302f.0347}
}

English citation: Levinson I B “Trap trajectories and the cutoff of dissipative effects in semiconductorsSov. Phys. Usp. 26 176–181 (1983); DOI: 10.1070/PU1983v026n02ABEH004324

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение