Траектории-ловушки и срыв диссипативных эффектов в полупроводниках

СОДЕРЖАНИЕ
1. Топология траекторий в импульсном пространстве
2. Срыв диссипативных эффектов
3. Размытие критических полей Н₁ и Н₂
4. Гаусс-амперные характеристики (эксперимент)
5. Неравновесность распределения в скрещенных полях
6. Инверсия дырок в германии
7. Переменные поля
Цитированная литература

Текст pdf (581 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1983v026n02ABEH004324

PACS: 72.20.Jv, 72.20.My, 72.20.Dp (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0139.198302f.0347
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1983/2/f/
Цитата: Левинсон И Б "Траектории-ловушки и срыв диссипативных эффектов в полупроводниках" УФН 139 347–355 (1983)

BibTexBibNote ® (generic)

BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

TY JOUR
TI Trap trajectories and the cutoff of dissipative effects in semiconductors
AU Levinson, I. B.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1983
JO Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JA Usp. Fiz. Nauk
VL 139
IS 2
SP 347-355
UR https://ufn.ru/ru/articles/1983/2/f/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0139.198302f.0347

English citation: Levinson I B “Trap trajectories and the cutoff of dissipative effects in semiconductors” Sov. Phys. Usp. 26 176–181 (1983); DOI: 10.1070/PU1983v026n02ABEH004324