Выпуски

 / 

1980

 / 

Сентябрь

  

К 100-летию со дня рождения А.Ф. Иоффе


Переход полупроводник — металл в жидких полупроводниках

,  а,  б
а Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация
б Институт электрофизики УрО РАН, ул. Амундсена 106, Екатеринбург, 620016, Российская Федерация

Содержание: Введение. Теоретические модели перехода полупроводник — металл в неупорядоченных системах. Переход полупроводник — металл в расплавах полупроводников при высоких температурах. Переход полупроводник — металл и критерий минимальной металлической проводимости в ряду расплавов при T ≳ Tпл. Переход металл — полупроводник в окрестностях критической точки металлов и полупроводников. Заключение. Цитированная литература.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 72.60.+g, 72.80.Ph, 72.20.Pa, 71.25.Lf (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0132.198009c.0047
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1980/9/c/
Цитата: Алексеев В А, Андреев А А, Садовский М В "Переход полупроводник — металл в жидких полупроводниках" УФН 132 47–90 (1980)
BibTex BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
%0 Journal Article
%T Semiconductor–metal transition in liquid semiconductors
%A V. A. Alekseev
%A A. A. Andreev
%A M. V. Sadovskii
%I Uspekhi Fizicheskikh Nauk
%D 1980
%J Usp. Fiz. Nauk
%V 132
%N 9
%P 47-90
%U https://ufn.ru/ru/articles/1980/9/c/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.0132.198009c.0047

English citation: Alekseev V A, Andreev A A, Sadovskii M V “Semiconductor-metal transition in liquid semiconductorsSov. Phys. Usp. 23 551–575 (1980); DOI: 10.1070/PU1980v023n09ABEH005855

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение