Выпуски

 / 

1980

 / 

Сентябрь

  

К 100-летию со дня рождения А.Ф. Иоффе


Переход полупроводник — металл в жидких полупроводниках

,  а,  б
а Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация
б Институт электрофизики УрО РАН, ул. Амундсена 106, Екатеринбург, 620016, Российская Федерация

Содержание: Введение. Теоретические модели перехода полупроводник — металл в неупорядоченных системах. Переход полупроводник — металл в расплавах полупроводников при высоких температурах. Переход полупроводник — металл и критерий минимальной металлической проводимости в ряду расплавов при T ≳ Tпл. Переход металл — полупроводник в окрестностях критической точки металлов и полупроводников. Заключение. Цитированная литература.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 72.60.+g, 72.80.Ph, 72.20.Pa, 71.25.Lf (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0132.198009c.0047
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1980/9/c/
Цитата: Алексеев В А, Андреев А А, Садовский М В "Переход полупроводник — металл в жидких полупроводниках" УФН 132 47–90 (1980)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Переход полупроводник - металл в жидких полупроводниках
A1 Алексеев,В.А.
A1 Андреев,А.А.
A1 Садовский,М.В.
PB Успехи физических наук
PY 1980
FD 10 Sep, 1980
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 132
IS 9
SP 47-90
DO 10.3367/UFNr.0132.198009c.0047
LK https://ufn.ru/ru/articles/1980/9/c/

English citation: Alekseev V A, Andreev A A, Sadovskii M V “Semiconductor-metal transition in liquid semiconductorsSov. Phys. Usp. 23 551–575 (1980); DOI: 10.1070/PU1980v023n09ABEH005855

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение