Выпуски

 / 

1976

 / 

Май

  

Обзоры актуальных проблем


Анизотропные размерные эффекты в полупроводниках и полуметаллах

Сильное различие между характерными временами разных электронных релаксационных процессов (релаксация по импульсу, по энергии, междолинная релаксация, электронно-дырочная рекомбинация) позволяет разбить носители тока на группы, релаксация между которыми происходит относительно медленно. Каждому из «больших» времен может быть поставлена в соответствие характерная длина, имеющая смысл диффузионной длины и значительно превышающая обычную длину свободного пробега. Кинетические коэффициенты отдельных групп, как правило, анизотропны даже в кубических кристаллах, причем величина анизотропии не совпадает для разных групп (эта анизотропия может быть либо естественной, либо созданной давлением, магнитным полем и т. д.). Поэтому прохождение тока сопровождается возникновением неравновесных концентраций носителей отдельных групп. Градиенты этих концентраций ориентированы перпендикулярно к току, причем затухают на расстояниях порядка диффузионных длин. Эффекты, связанные с образованием неравновесных носителей и влиянием их диффузий на кинетические параметры образцов, объединены в статье названием «Анизотропные размерные эффекты» (АРЭ). В ней дан обзор теоретических и экспериментальных работ по различным проявлениям АРЭ. Обсуждается размерная зависимость электропроводности и магнитосопротивления, проявляющаяся на «больших» толщинах образцов (порядка диффузионных длин), а также нелинейность электропроводности в относительно слабых полях, перераспределение носителей в «сильных» полях (сопровождаемое гигантским изменением их полного числа и образованием доменов, слоев обеднения и обогащения), влияние АРЭ на скин-эффект (изменяющее поверхностный импеданс полуметаллов по порядку величины) и электромагнитное возбуждение звука в полуметаллах. Иллюстраций 30, библиографических ссылок 161 (167 назв.).

Текст pdf (3,3 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1976v019n05ABEH005258
PACS: 72.20.My, 72.20.Fr, 72.10.−d (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0119.197605a.0003
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1976/5/a/
Цитата: Рашба Э И, Грибников З С, Кравченко В Я "Анизотропные размерные эффекты в полупроводниках и полуметаллах" УФН 119 3–47 (1976)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Rashba É I, Gribnikov Z S, Kravchenko V Ya “Anisotropic size effects in semiconductors and semimetalsSov. Phys. Usp. 19 361–387 (1976); DOI: 10.1070/PU1976v019n05ABEH005258

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение