Выпуски

 / 

1976

 / 

Май

  

Обзоры актуальных проблем


Анизотропные размерные эффекты в полупроводниках и полуметаллах

Сильное различие между характерными временами разных электронных релаксационных процессов (релаксация по импульсу, по энергии, междолинная релаксация, электронно-дырочная рекомбинация) позволяет разбить носители тока на группы, релаксация между которыми происходит относительно медленно. Каждому из «больших» времен может быть поставлена в соответствие характерная длина, имеющая смысл диффузионной длины и значительно превышающая обычную длину свободного пробега. Кинетические коэффициенты отдельных групп, как правило, анизотропны даже в кубических кристаллах, причем величина анизотропии не совпадает для разных групп (эта анизотропия может быть либо естественной, либо созданной давлением, магнитным полем и т. д.). Поэтому прохождение тока сопровождается возникновением неравновесных концентраций носителей отдельных групп. Градиенты этих концентраций ориентированы перпендикулярно к току, причем затухают на расстояниях порядка диффузионных длин. Эффекты, связанные с образованием неравновесных носителей и влиянием их диффузий на кинетические параметры образцов, объединены в статье названием «Анизотропные размерные эффекты» (АРЭ). В ней дан обзор теоретических и экспериментальных работ по различным проявлениям АРЭ. Обсуждается размерная зависимость электропроводности и магнитосопротивления, проявляющаяся на «больших» толщинах образцов (порядка диффузионных длин), а также нелинейность электропроводности в относительно слабых полях, перераспределение носителей в «сильных» полях (сопровождаемое гигантским изменением их полного числа и образованием доменов, слоев обеднения и обогащения), влияние АРЭ на скин-эффект (изменяющее поверхностный импеданс полуметаллов по порядку величины) и электромагнитное возбуждение звука в полуметаллах. Иллюстраций 30, библиографических ссылок 161 (167 назв.).

Текст pdf (3,3 Мб)
PACS: 72.20.My, 72.20.Fr, 72.10.−d (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0119.197605a.0003
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1976/5/a/
Цитата: Рашба Э И, Грибников З С, Кравченко В Я "Анизотропные размерные эффекты в полупроводниках и полуметаллах" УФН 119 3–47 (1976)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Анизотропные размерные эффекты в полупроводниках и полуметаллах
AU Рашба, Э. И.
AU Грибников, З. С.
AU Кравченко, В. Я.
PB Успехи физических наук
PY 1976
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 119
IS 5
SP 3-47
UR https://ufn.ru/ru/articles/1976/5/a/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0119.197605a.0003

English citation: Rashba É I, Gribnikov Z S, Kravchenko V Ya “Anisotropic size effects in semiconductors and semimetalsSov. Phys. Usp. 19 361–387 (1976); DOI: 10.1070/PU1976v019n05ABEH005258

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение