Выпуски

 / 

1976

 / 

Май

  

Обзоры актуальных проблем


Анизотропные размерные эффекты в полупроводниках и полуметаллах

Сильное различие между характерными временами разных электронных релаксационных процессов (релаксация по импульсу, по энергии, междолинная релаксация, электронно-дырочная рекомбинация) позволяет разбить носители тока на группы, релаксация между которыми происходит относительно медленно. Каждому из «больших» времен может быть поставлена в соответствие характерная длина, имеющая смысл диффузионной длины и значительно превышающая обычную длину свободного пробега. Кинетические коэффициенты отдельных групп, как правило, анизотропны даже в кубических кристаллах, причем величина анизотропии не совпадает для разных групп (эта анизотропия может быть либо естественной, либо созданной давлением, магнитным полем и т. д.). Поэтому прохождение тока сопровождается возникновением неравновесных концентраций носителей отдельных групп. Градиенты этих концентраций ориентированы перпендикулярно к току, причем затухают на расстояниях порядка диффузионных длин. Эффекты, связанные с образованием неравновесных носителей и влиянием их диффузий на кинетические параметры образцов, объединены в статье названием «Анизотропные размерные эффекты» (АРЭ). В ней дан обзор теоретических и экспериментальных работ по различным проявлениям АРЭ. Обсуждается размерная зависимость электропроводности и магнитосопротивления, проявляющаяся на «больших» толщинах образцов (порядка диффузионных длин), а также нелинейность электропроводности в относительно слабых полях, перераспределение носителей в «сильных» полях (сопровождаемое гигантским изменением их полного числа и образованием доменов, слоев обеднения и обогащения), влияние АРЭ на скин-эффект (изменяющее поверхностный импеданс полуметаллов по порядку величины) и электромагнитное возбуждение звука в полуметаллах. Иллюстраций 30, библиографических ссылок 161 (167 назв.).

Текст pdf (3,3 Мб)
PACS: 72.20.My, 72.20.Fr, 72.10.−d (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0119.197605a.0003
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1976/5/a/
Цитата: Рашба Э И, Грибников З С, Кравченко В Я "Анизотропные размерные эффекты в полупроводниках и полуметаллах" УФН 119 3–47 (1976)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Rashba É I, Gribnikov Z S, Kravchenko V Ya “Anisotropic size effects in semiconductors and semimetalsSov. Phys. Usp. 19 361–387 (1976); DOI: 10.1070/PU1976v019n05ABEH005258

Статьи, ссылающиеся на эту (39) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Kochelap V A, Belyaev A E SPQEO 25 235 (2022)
  2. Narozhny B N Riv. Nuovo Cim. 45 661 (2022)
  3. Dykman M, Efros A et al Phys. Rev. B 106 (23) (2022)
  4. Kochelap V A, Sokolov V N Phys. Rev. B 106 (24) (2022)
  5. Dykman M, Efros A et al Phys. Rev. B 106 (21) (2022)
  6. Kochelap V A, Sokolov V N, Kim K W Phys. Rev. B 104 (7) (2021)
  7. Berezhnyj V L, Berezhnaya I V 9 (2019)
  8. Khouri T, Pezzini S et al Phys. Rev. B 99 (7) (2019)
  9. Alekseev P S, Dmitriev A P et al Phys. Rev. B 95 (16) (2017)
  10. Alekseev P  S, Dmitriev A  P et al Phys. Rev. Lett. 114 (15) (2015)
  11. Gonzalez de la Cruz G, Gurevich Yu G 113 (2) (2013)
  12. Molina-Valdovinos S, Gurevich Yu G 111 (8) (2012)
  13. Sokolov V N, Kochelap V A, Kim K W 97 (11) (2010)
  14. Foster M S, Aleiner I L Phys. Rev. B 79 (8) (2009)
  15. Logvinov G N, Gurevich Y G, Lashkevich I M Applied Surface Science 199 312 (2002)
  16. Kravchenko V Ya J. Exp. Theor. Phys. 94 603 (2002)
  17. Abramov A A, Gorbatyi I N Semiconductors 36 793 (2002)
  18. de la González C G, Gurevich Yu G et al J. Exp. Theor. Phys. 92 277 (2001)
  19. Cruz G González de la, Gurevich Yu G et al Europhys. Lett. 53 539 (2001)
  20. Kryukov A I, Kuchmii S Ya, Pokhodenko V D Theor Exp Chem 36 63 (2000)
  21. Gurevich Yu G, Logvinov G N et al Semiconductors 34 755 (2000)
  22. Tsoi V S, Bass J, Wyder P Rev. Mod. Phys. 71 1641 (1999)
  23. Gurevich Yu G, Volovichev I N Phys. Rev. B 60 7715 (1999)
  24. Kochelap V A, Sokolov V N Phys. Rev. B 57 15465 (1998)
  25. Savitsky VG, Sokolovsky BS Vacuum 46 505 (1995)
  26. Savitskii V G, Sokolovskii B S Russ Phys J 36 852 (1993)
  27. Gurevich Yu G, Logvinov G N Physica Status Solidi (b) 170 247 (1992)
  28. Gurevich Yu G, Logvinov G N Physics Letters A 155 321 (1991)
  29. Logvinov G N Soviet Physics Journal 34 48 (1991)
  30. Logvinov G N Soviet Physics Journal 34 917 (1991)
  31. Gurevich Yu G, Mashkevich O L Physics Reports 181 327 (1989)
  32. Belyantsev A M, Valov V A et al Radiophys Quantum Electron 31 799 (1988)
  33. Vakser A I Soviet Physics Journal 31 768 (1988)
  34. Hatzopoulos Z, Aubrey J E J. Phys. F: Met. Phys. 15 1093 (1985)
  35. Askerov B M, Kuliev B I, Figarova S R Physica Status Solidi (b) 121 11 (1984)
  36. Belyantsev A M, Zheleznyak A L, Kozlov V A Radiophys Quantum Electron 27 354 (1984)
  37. Malyutenko V K, Malosovskii Yu M et al phys. stat. sol. (a) 71 217 (1982)
  38. Aubrey J E J. Phys. C: Solid State Phys. 14 1103 (1981)
  39. Kraak W, Kuhl R et al Physica Status Solidi (b) 105 597 (1981)

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение