Содержание: Введение. Зонная структура алмаза. Теоретические исследования. Экспериментальные данные оптических исследований. Край основной полосы поглощения. Оптические исследования электронных переходов в глубине зоны. Экспериментальные исследования рекомбинационного излучения. Эффективные массы дырок и спин-орбитальное расщепление валентной зоны алмаза. Подвижность электронов и дырок в алмазе. Фотоионизация и ионизация заряженными частицами. Природные полупроводниковые алмазы p-типа. Энергия ионизации и возбужденные состояния акцепторов. Природа акцепторных центров. Термо-э. д. с. Синтетические полупроводниковые алмазы. Азотные центры в алмазе. Полупроводниковые алмазы, полученные методом внедрения ионов. Перспективы практических применений полупроводниковых алмазов. Цитированная литература.