Выпуски

 / 

1976

 / 

Апрель

  

Обзоры актуальных проблем


Полупроводниковые алмазы

 а,
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Содержание: Введение. Зонная структура алмаза. Теоретические исследования. Экспериментальные данные оптических исследований. Край основной полосы поглощения. Оптические исследования электронных переходов в глубине зоны. Экспериментальные исследования рекомбинационного излучения. Эффективные массы дырок и спин-орбитальное расщепление валентной зоны алмаза. Подвижность электронов и дырок в алмазе. Фотоионизация и ионизация заряженными частицами. Природные полупроводниковые алмазы p-типа. Энергия ионизации и возбужденные состояния акцепторов. Природа акцепторных центров. Термо-э. д. с. Синтетические полупроводниковые алмазы. Азотные центры в алмазе. Полупроводниковые алмазы, полученные методом внедрения ионов. Перспективы практических применений полупроводниковых алмазов. Цитированная литература.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 71.30.Mw, 71.50.+t, 72.80.Le, 78.60.Dg
DOI: 10.3367/UFNr.0118.197604c.0611
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1976/4/c/
Цитата: Вавилов В С, Конорова Е А "Полупроводниковые алмазы" УФН 118 611–639 (1976)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Vavilov V S, Konorova E A “Semiconducting diamondsSov. Phys. Usp. 19 301–316 (1976); DOI: 10.1070/PU1976v019n04ABEH005251

Статьи, ссылающиеся на эту (30) ↓ Похожие статьи (17)

  1. Nebel Ch E Nanodiamonds (2017) p. 1
  2. Grudinkin S A, Feoktistov N A et al Semiconductors 48 268 (2014)
  3. Sokolenko E V Inorg Mater 50 246 (2014)
  4. Samsonenko S N, Samsonenko N D, Timchenko V I Semiconductors 44 1140 (2010)
  5. Raynaud Ch, Tournier D et al Diamond and Related Materials 19 1 (2010)
  6. Novikov N V, Nachalna T A et al Diamond and Related Materials 12 1990 (2003)
  7. Ronning C, Hofsäss H Diamond and Related Materials 8 1623 (1999)
  8. Chuenkov V A Semiconductors 32 452 (1998)
  9. Hofsäss H, Dalmer M et al Journal of Applied Physics 81 2566 (1997)
  10. Hofsäss H, Dalmer M et al MRS Proc. 442 (1996)
  11. Dreifus D L Diamond: Electronic Properties and Applications Chapter 10 (1995) p. 371
  12. Lee S L, Lin S J, Hwang J Appl. Phys. Lett. 63 524 (1993)
  13. Prins J F Materials Science Reports 7 275 (1992)
  14. Logothetidis S, Petalas J et al Phys. Rev. B 46 4483 (1992)
  15. Miyata K, Matsui Yu et al NATO ASI Series Vol. Diamond and Diamond-like Films and Coatings266 Chapter 56 (1991) p. 773
  16. Kobashi K, Inoue T et al The Physics and Chemistry of Carbides, Nitrides and Borides Chapter 11 (1990) p. 159
  17. Inoue T, Tachibana H et al Journal of Applied Physics 67 7329 (1990)
  18. Namba H, Masuda M, Kuroda H Applied Surface Science 33-34 187 (1988)
  19. Pate B B Surface Science 165 83 (1986)
  20. Braunstein G, Kalish R Journal of Applied Physics 54 2106 (1983)
  21. Reggiani L, Bosi S et al Phys. Rev. B 23 3050 (1981)
  22. Nava F, Canali C et al Solid State Communications 33 475 (1980)
  23. Reggiani L, Bosi S et al Solid State Communications 30 333 (1979)
  24. De Blasi C, Galassini S et al Nuclear Instruments and Methods 163 121 (1979)
  25. Clark C D, Parsons B J, Vermeulen L A J. Phys. C: Solid State Phys. 12 2597 (1979)
  26. Presnov V A, Bogdanov A V Soviet Physics Journal 22 1313 (1979)
  27. Walker J Rep. Prog. Phys. 42 1605 (1979)
  28. Vavilov V S Radiation Effects 37 229 (1978)
  29. Presnov V A, Bogdanov A V, Klauzov A F Soviet Physics Journal 21 1217 (1978)
  30. Bogdanov A V, Presnov V A Soviet Physics Journal 21 1115 (1978)

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение