Полупроводниковые алмазы

Содержание: Введение. Зонная структура алмаза. Теоретические исследования. Экспериментальные данные оптических исследований. Край основной полосы поглощения. Оптические исследования электронных переходов в глубине зоны. Экспериментальные исследования рекомбинационного излучения. Эффективные массы дырок и спин-орбитальное расщепление валентной зоны алмаза. Подвижность электронов и дырок в алмазе. Фотоионизация и ионизация заряженными частицами. Природные полупроводниковые алмазы p-типа. Энергия ионизации и возбужденные состояния акцепторов. Природа акцепторных центров. Термо-э. д. с. Синтетические полупроводниковые алмазы. Азотные центры в алмазе. Полупроводниковые алмазы, полученные методом внедрения ионов. Перспективы практических применений полупроводниковых алмазов. Цитированная литература.

PACS: 71.30.Mw, 71.50.+t, 72.80.Le, 78.60.Dg
DOI: 10.3367/UFNr.0118.197604c.0611
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1976/4/c/
Цитата: Вавилов В С, Конорова Е А "Полупроводниковые алмазы" УФН 118 611–639 (1976)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)

MedlineRefWorks

Русский

English

PT Journal Article
TI Полупроводниковые алмазы
AU Вавилов В С
FAU Вавилов ВС
AU Конорова Е А
FAU Конорова ЕА
DP 10 Apr, 1976
TA Усп. физ. наук
VI 118
IP 4
PG 611-639
RX 10.3367/UFNr.0118.197604c.0611
URL https://ufn.ru/ru/articles/1976/4/c/
SO Усп. физ. наук 1976 Apr 10;118(4):611-639

English citation: Vavilov V S, Konorova E A “Semiconducting diamonds” Sov. Phys. Usp. 19 301–316 (1976); DOI: 10.1070/PU1976v019n04ABEH005251