Электронные свойства сильно легированных полупроводников (СЛП) существенно отличаются от свойств чистых полупроводников, которым посвящено большое количество монографий и учебников. Серьезное изучение СЛП началось около десяти лет назад. В статье изложены современные представления о плотности состояний в СЛП. Подробно обсуждается квазиклассический метод, его результаты и область применимости. Показано, что этот метод не применим для описания глубоко лежащих флуктуационных уровней. Далее излагается развитый в последние годы метод оптимальной флуктуации, позволяющий находить показатель экспоненты плотности состояний глубоко в запрещенной зоне. С помощью этого метода плотность состояний проанализирована при различных соотношениях между параметрами полупроводника и при всех значениях энергии, при которых применим метод эффективной массы. Указано различие между спектрами основных и неосновных носителей. Рассмотрено влияние на плотность состояний корреляции в распределении примесей. Изучение структуры флуктуационных уровней позволяет построить теорию коэффициента межзонного поглощения света (КМПС) па частотах ниже пороговой. Показано, что частотная зависимость КМПС не всегда воспроизводит зависимость плотности состояний от энергии. Анализ экспериментальных данных указывает на важную роль неосновных примесей в формировании «хвоста» КМПС. Таблица 1, иллюстраций 11, библиографических ссылок 41.

TY JOUR
TI Density of states and interband absorption of light in strongly doped semiconductors
AU Efros, A. L.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1973
JO Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JA Usp. Fiz. Nauk
VL 111
IS 11
SP 451-482
UR https://ufn.ru/ru/articles/1973/11/c/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0111.197311c.0451