Выпуски

 / 

1973

 / 

Ноябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Плотность состояний и межзонное поглощение света в сильно легированных полупроводниках

Электронные свойства сильно легированных полупроводников (СЛП) существенно отличаются от свойств чистых полупроводников, которым посвящено большое количество монографий и учебников. Серьезное изучение СЛП началось около десяти лет назад. В статье изложены современные представления о плотности состояний в СЛП. Подробно обсуждается квазиклассический метод, его результаты и область применимости. Показано, что этот метод не применим для описания глубоко лежащих флуктуационных уровней. Далее излагается развитый в последние годы метод оптимальной флуктуации, позволяющий находить показатель экспоненты плотности состояний глубоко в запрещенной зоне. С помощью этого метода плотность состояний проанализирована при различных соотношениях между параметрами полупроводника и при всех значениях энергии, при которых применим метод эффективной массы. Указано различие между спектрами основных и неосновных носителей. Рассмотрено влияние на плотность состояний корреляции в распределении примесей. Изучение структуры флуктуационных уровней позволяет построить теорию коэффициента межзонного поглощения света (КМПС) па частотах ниже пороговой. Показано, что частотная зависимость КМПС не всегда воспроизводит зависимость плотности состояний от энергии. Анализ экспериментальных данных указывает на важную роль неосновных примесей в формировании «хвоста» КМПС. Таблица 1, иллюстраций 11, библиографических ссылок 41.

Текст pdf (1,7 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1974v016n06ABEH004090
PACS: 71.20.Nr, 78.20.Ci, 71.18.+y (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0111.197311c.0451
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1973/11/c/
Цитата: Эфрос А Л "Плотность состояний и межзонное поглощение света в сильно легированных полупроводниках" УФН 111 451–482 (1973)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Efros A L “Density of states and interband absorption of light in strongly doped semiconductorsSov. Phys. Usp. 16 789–805 (1974); DOI: 10.1070/PU1974v016n06ABEH004090

Статьи, ссылающиеся на эту (56) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Şaşıoğlu E, Tas M et al Journal of Magnetism and Magnetic Materials 615 172792 (2025)
  2. Ghamsari M S Luminescent Ceramics (2025) p. 3
  3. Beida W, Şaşıoğlu E et al Phys. Rev. Materials 9 (1) (2025)
  4. Masri M, K B G et al Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 687 133387 (2024)
  5. Bordun O M, Bordun B O et al J Appl Spectrosc 88 (6) 1152 (2022)
  6. Spaans E M, de Wild J et al Journal of Applied Physics 130 (12) (2021)
  7. Bordun O M, Bordun B O et al J Appl Spectrosc 88 (2) 257 (2021)
  8. Bordun O M, Bordun I O et al Ž. prikl. spektrosk. (Minsk) 88 (6) 881 (2021)
  9. Schenk A, Sant S Journal of Applied Physics 128 (1) (2020)
  10. Bresolin B-M, Park Yu, Bahnemann D Catalysts 10 (6) 709 (2020)
  11. Teixeira J P, Salomé P M P et al Phys. Rev. Applied 11 (5) (2019)
  12. Sant S, Schenk A Journal of Applied Physics 122 (13) (2017)
  13. Lang M, Zimmermann Ch et al Phys. Rev. B 95 (15) (2017)
  14. Yi Su-in, Yu Ch Journal of Applied Physics 117 (3) (2015)
  15. Lang M, Zimmermann Ch et al 2015 IEEE 42nd Photovoltaic Specialist Conference (PVSC), (2015) p. 1
  16. Caram Ju R, Zheng H et al J. Phys. Chem. Lett. 5 (1) 196 (2014)
  17. Bagraev N T, Klyachkin L E et al Semiconductors 46 (3) 275 (2012)
  18. Krishna M Proc Math Sci 120 (3) 351 (2010)
  19. Altermatt P P, Schenk A, Heiser G Journal of Applied Physics 100 (11) (2006)
  20. Dolidze N D, Tsekvava B E Phys. Solid State 44 (11) 2034 (2002)
  21. Malevich V L, Utkin I A Semiconductors 34 (8) 924 (2000)
  22. Gribkovskii V P Luminescence of Solids Chapter 1 (1998) p. 1
  23. Baimbetov F B, Dzhumamukhambetov N G Semiconductors 32 (11) 1187 (1998)
  24. Lush G B, Melloch M R et al Journal of Applied Physics 74 (7) 4694 (1993)
  25. Van Mieghem P Rev. Mod. Phys. 64 (3) 755 (1992)
  26. Bolboshenko V Z, Djouadi D et al Phys. Stat. Sol. (a) 133 (1) 121 (1992)
  27. Dobbelaere W, De Boeck J et al Journal of Applied Physics 69 (4) 2536 (1991)
  28. Jain S C, Mertens R P, Van Overstraeten R J Advances in Electronics and Electron Physics Vol. Advances in Electronics and Electron Physics Volume 82Bandgap Narrowing and Its Effects on the Properties of Moderately and Heavily Doped Germanium and Silicon82 (1991) p. 197
  29. Belyaev A E, Demidenko Z A, Shevchenko N V Infrared Physics 31 (3) 271 (1991)
  30. Van Mieghem P, Borghs G, Mertens R Phys. Rev. B 44 (23) 12822 (1991)
  31. Arnaudov B G, Domanevskii D S et al Semicond. Sci. Technol. 5 (6) 620 (1990)
  32. Arbuzov Yu D, Evdokimov V M, Kolenkin M Yu Soviet Physics Journal 31 (1) 25 (1988)
  33. Lebedev Ya D, Shagalov M D phys. stat. sol. (a) 97 (2) 539 (1986)
  34. Sritrakool W, Sa-yakanit V, Glyde H R Phys. Rev. B 32 (2) 1090 (1985)
  35. Shapira Y, Ridgley D H et al Solid State Communications 54 (7) 593 (1985)
  36. Oganova I G, Aliev I M Physica Status Solidi (b) 132 (1) (1985)
  37. Ghazali A, Serre J Solid-State Electronics 28 (1-2) 145 (1985)
  38. Kane E O Solid-State Electronics 28 (1-2) 3 (1985)
  39. Shklovskii B I, Efros A L Springer Series in Solid-State Sciences Vol. Electronic Properties of Doped SemiconductorsThe Density-of-States Tail and Interband Light Absorption45 Chapter 12 (1984) p. 268
  40. Lai Sh T, Klein M V Phys. Rev. B 29 (6) 3217 (1984)
  41. Semikolenova N A Soviet Physics Journal 27 (5) 394 (1984)
  42. Pearsall T P, Eaves L, Portal J C Journal of Applied Physics 54 (2) 1037 (1983)
  43. Pastur L A J Stat Phys 27 (1) 119 (1982)
  44. Sizov F F, Teterkin V V J Appl Spectrosc 36 (2) 226 (1982)
  45. Serre J, Ghazali A, Hugon P L Phys. Rev. B 23 (4) 1971 (1981)
  46. Sa-yakanit V, Glyde H R Phys. Rev. B 22 (12) 6222 (1980)
  47. Problems of Linear Electron (Polaron) Transport Theory in Semiconductors (1979) p. 925
  48. Yanchev I Y, Arnaudov B G, Evtimova S K J. Phys. C: Solid State Phys. 12 (19) L765 (1979)
  49. Demchuk K M, Tsidilkovskii I M Physica Status Solidi (b) 82 (1) 59 (1977)
  50. Ipatova I P, Subashiev A V Statistical Mechanics and Statistical Methods in Theory and Application Chapter 18 (1977) p. 413
  51. Lifshits I M, Gredeskul S A, Pastur L A Soviet Journal of Low Temperature Physics 2 (9) 533 (1976)
  52. Bezák V, Banský J Physica Status Solidi (b) 76 (2) 569 (1976)
  53. Rentzsch R, Berger H Thin Solid Films 37 (2) 235 (1976)
  54. Gredeskul S A, Pastur L A Soviet Journal of Low Temperature Physics 1 (3) 135 (1975)
  55. Berezin A A, Golikova O A et al Journal of Non-Crystalline Solids 16 (2) 237 (1974)
  56. Nagaev E L, Grigin A P Physica Status Solidi (b) 65 (2) 457 (1974)

© Успехи физических наук, 1918–2025
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение