Выпуски

 / 

1973

 / 

Ноябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Плотность состояний и межзонное поглощение света в сильно легированных полупроводниках

Электронные свойства сильно легированных полупроводников (СЛП) существенно отличаются от свойств чистых полупроводников, которым посвящено большое количество монографий и учебников. Серьезное изучение СЛП началось около десяти лет назад. В статье изложены современные представления о плотности состояний в СЛП. Подробно обсуждается квазиклассический метод, его результаты и область применимости. Показано, что этот метод не применим для описания глубоко лежащих флуктуационных уровней. Далее излагается развитый в последние годы метод оптимальной флуктуации, позволяющий находить показатель экспоненты плотности состояний глубоко в запрещенной зоне. С помощью этого метода плотность состояний проанализирована при различных соотношениях между параметрами полупроводника и при всех значениях энергии, при которых применим метод эффективной массы. Указано различие между спектрами основных и неосновных носителей. Рассмотрено влияние на плотность состояний корреляции в распределении примесей. Изучение структуры флуктуационных уровней позволяет построить теорию коэффициента межзонного поглощения света (КМПС) па частотах ниже пороговой. Показано, что частотная зависимость КМПС не всегда воспроизводит зависимость плотности состояний от энергии. Анализ экспериментальных данных указывает на важную роль неосновных примесей в формировании «хвоста» КМПС. Таблица 1, иллюстраций 11, библиографических ссылок 41.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 71.20.Nr, 78.20.Ci, 71.18.+y (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0111.197311c.0451
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1973/11/c/
Цитата: Эфрос А Л "Плотность состояний и межзонное поглощение света в сильно легированных полупроводниках" УФН 111 451–482 (1973)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Efros A L “Density of states and interband absorption of light in strongly doped semiconductorsSov. Phys. Usp. 16 789–805 (1974); DOI: 10.1070/PU1974v016n06ABEH004090

Статьи, ссылающиеся на эту (44) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Bresolin B-M, Park Yu, Bahnemann D W Catalysts 10 709 (2020)
  2. Teixeira J P, Salomé P M P et al Phys. Rev. Applied 11 (5) (2019)
  3. Lang M, Zimmermann Ch et al Phys. Rev. B 95 (15) (2017)
  4. Sant S, Schenk A Journal of Applied Physics 122 135702 (2017)
  5. Yi Su-in, Yu Ch Journal of Applied Physics 117 035105 (2015)
  6. Lang M, Zimmermann Ch et al 2015 IEEE 42nd Photovoltaic Specialist Conference (PVSC), (2015) p. 1
  7. Caram Ju R, Zheng H et al J. Phys. Chem. Lett. 5 196 (2014)
  8. Bagraev N T, Klyachkin L E et al Semiconductors 46 275 (2012)
  9. Krishna M Proc Math Sci 120 351 (2010)
  10. Altermatt P P, Schenk A, Heiser G J. Appl. Phys. 100 113714 (2006)
  11. Dolidze N D, Tsekvava B E Phys. Solid State 44 2034 (2002)
  12. Malevich V L, Utkin I A Semiconductors 34 924 (2000)
  13. Gribkovskii V P Luminescence of Solids Chapter 1 (1998) p. 1
  14. Baimbetov F B, Dzhumamukhambetov N G Semiconductors 32 1187 (1998)
  15. Lush G B, Melloch M R et al Journal of Applied Physics 74 4694 (1993)
  16. Bolboshenko V Z, Djouadi D et al Phys. Stat. Sol. (a) 133 121 (1992)
  17. Van Mieghem P Rev. Mod. Phys. 64 755 (1992)
  18. Van Mieghem P, Borghs G, Mertens R Phys. Rev. B 44 12822 (1991)
  19. Jain S C, Mertens R P, Van Overstraeten R J Advances in Electronics and Electron Physics Vol. Advances in Electronics and Electron Physics Volume 8282 (1991) p. 197
  20. Belyaev A E, Demidenko Z A, Shevchenko N V Infrared Physics 31 271 (1991)
  21. Arnaudov B G, Domanevskii D S et al Semicond. Sci. Technol. 5 620 (1990)
  22. Arbuzov Yu D, Evdokimov V M, Kolenkin M Yu Soviet Physics Journal 31 25 (1988)
  23. Lebedev Ya D, Shagalov M D phys. stat. sol. (a) 97 539 (1986)
  24. Oganova I G, Aliev I M phys. stat. sol. (b) 132 K41 (1985)
  25. Kane E O Solid-State Electronics 28 3 (1985)
  26. Ghazali A, Serre J Solid-State Electronics 28 145 (1985)
  27. Shapira Y, Ridgley D H et al Solid State Communications 54 593 (1985)
  28. Sritrakool W, Sa-yakanit V, Glyde H R Phys. Rev. B 32 1090 (1985)
  29. Semikolenova N A Soviet Physics Journal 27 394 (1984)
  30. Lai Sh T, Klein M V Phys. Rev. B 29 3217 (1984)
  31. Shklovskii B I, Efros A L Springer Series in Solid-State Sciences Vol. Electronic Properties of Doped Semiconductors45 Chapter 12 (1984) p. 268
  32. Pearsall T P, Eaves L, Portal J C Journal of Applied Physics 54 1037 (1983)
  33. Pastur L A J Stat Phys 27 119 (1982)
  34. Sizov F F, Teterkin V V J Appl Spectrosc 36 226 (1982)
  35. Serre J, Ghazali A, Hugon P L Phys. Rev. B 23 1971 (1981)
  36. Sa-yakanit V, Glyde H R Phys. Rev. B 22 6222 (1980)
  37. Problems of Linear Electron (Polaron) Transport Theory in Semiconductors (1979) p. 925
  38. Yanchev I Y, Arnaudov B G, Evtimova S K J. Phys. C: Solid State Phys. 12 L765 (1979)
  39. Ipatova I P, Subashiev A V Statistical Mechanics and Statistical Methods in Theory and Application Chapter 18 (1977) p. 413
  40. Demchuk K M, Tsidilkovskii I M Phys. Stat. Sol. (b) 82 59 (1977)
  41. Rentzsch R, Berger H Thin Solid Films 37 235 (1976)
  42. Bezák V, Banský J phys. stat. sol. (b) 76 569 (1976)
  43. Nagaev E L, Grigin A P phys. stat. sol. (b) 65 457 (1974)
  44. Berezin A A, Golikova O A et al Journal of Non-Crystalline Solids 16 237 (1974)

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение