В основу обзора положен доклад, прочитанный 13 февраля 1969 г. на сессии Отделения общей и прикладной физики АН СССР. Статья публикуется также на английском языке в международном журнале ’Low Temperature Physics’.

Предсказаны и обнаружены различные типы электронных переходов в сильных магнитных полях, заключающихся в качественном изменении энергетического спектра электронов (а следовательно, и свойств вещества) при определенных критических значениях магнитного поля. Объектом исследования являются металлические и полупроводниковые сплавы Bi-Sb в области концентраций Sb до 8 ат.% и от 8 до 15,8 ат.% соответственно. У монокристаллических образцов измерялось поперечное и продольное магнитосопротивление при различных ориентациях тока и поля относительно кристаллических осей. Измерения проведены в магнитных полях до 600 кэ при температурах 2-77° К. Обнаружены следующие электронные переходы в магнитном поле: а) переход из полупроводникового в металлическое состояние, б) переход из металлического в полупроводниковое состояние, в) переход из полупроводникового состояния в состояние с аномально малой щелью между зонами, названное «квазиметаллическим», г) переход полупроводник-’квазиметалл’-полупроводник, д) переход полупроводник-’квазиметалл’-полупроводник-металл. Табл. 2, иллюстраций 25, библиографических ссылок 35.

RT Journal
T1 Electronic transitions in strong magnetic fields
A1 Brandt,A.B.
A1 Svistova,E.A.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1970
FD 10 Jun, 1970
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 101
IS 6
SP 249-272
DO 10.3367/UFNr.0101.197006c.0249
LK https://ufn.ru/ru/articles/1970/6/c/