|
||||||||||||||||||
Электронные переходы в сильных магнитных поляхВ основу обзора положен доклад, прочитанный 13 февраля 1969 г. на сессии Отделения общей и прикладной физики АН СССР. Статья публикуется также на английском языке в международном журнале ’Low Temperature Physics’.
Предсказаны и обнаружены различные типы электронных переходов в сильных магнитных полях, заключающихся в качественном изменении энергетического спектра электронов (а следовательно, и свойств вещества) при определенных критических значениях магнитного поля. Объектом исследования являются металлические и полупроводниковые сплавы Bi-Sb в области концентраций Sb до 8 ат.% и от 8 до 15,8 ат.% соответственно. У монокристаллических образцов измерялось поперечное и продольное магнитосопротивление при различных ориентациях тока и поля относительно кристаллических осей. Измерения проведены в магнитных полях до 600 кэ при температурах
|
||||||||||||||||||
|