Выпуски

 / 

1969

 / 

Апрель

  

Обзоры актуальных проблем


Динамика излучения инжекционных полупроводниковых лазеров

 а, ,
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

В настоящем обзоре приведены результаты теоретического и экспе- риментального исследования динамики излучения лазерных диодов и оптически связанных двойных диодов. В последнем разделе обзора приведены схемы ряда логических элементов, основанных как на лазерных диодах, так и на лазерах и фотодиодах.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 42.55.Px, 42.60.Fc, 42.60.Jf, 42.60.By, 42.60.Da (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0097.196904a.0561
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1969/4/a/
Цитата: Басов Н Г, Никитин В В, Семенов А С "Динамика излучения инжекционных полупроводниковых лазеров" УФН 97 561–600 (1969)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Динамика излучения инжекционных полупроводниковых лазеров
AU Басов, Н. Г.
AU Никитин, В. В.
AU Семенов, А. С.
PB Успехи физических наук
PY 1969
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 97
IS 4
SP 561-600
UR https://ufn.ru/ru/articles/1969/4/a/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0097.196904a.0561

English citation: Basov N G, Nikitin V V, Semenov A S “Dynamics of semiconductor injection lasersSov. Phys. Usp. 12 219–240 (1969); DOI: 10.1070/PU1969v012n02ABEH003934

© Успехи физических наук, 1918–2021
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение