Выпуски

 / 

1969

 / 

Апрель

  

Обзоры актуальных проблем


Динамика излучения инжекционных полупроводниковых лазеров

 а, ,
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

В настоящем обзоре приведены результаты теоретического и экспе- риментального исследования динамики излучения лазерных диодов и оптически связанных двойных диодов. В последнем разделе обзора приведены схемы ряда логических элементов, основанных как на лазерных диодах, так и на лазерах и фотодиодах.

Текст pdf (5 Мб)
PACS: 42.55.Px, 42.60.Fc, 42.60.Jf, 42.60.By, 42.60.Da (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0097.196904a.0561
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1969/4/a/
Цитата: Басов Н Г, Никитин В В, Семенов А С "Динамика излучения инжекционных полупроводниковых лазеров" УФН 97 561–600 (1969)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
@article{Basov:1969,
	author = {Н. Г. Басов and В. В. Никитин and А. С. Семенов},
	title = {Динамика излучения инжекционных полупроводниковых лазеров},
	publisher = {Успехи физических наук},
	year = {1969},
	journal = {Усп. физ. наук},
	volume = {97},
	number = {4},
	pages = {561-600},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/1969/4/a/},
	doi = {10.3367/UFNr.0097.196904a.0561}
}

English citation: Basov N G, Nikitin V V, Semenov A S “Dynamics of semiconductor injection lasersSov. Phys. Usp. 12 219–240 (1969); DOI: 10.1070/PU1969v012n02ABEH003934

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение