Выпуски

 / 

1969

 / 

Апрель

  

Обзоры актуальных проблем


Динамика излучения инжекционных полупроводниковых лазеров

 а, ,
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

В настоящем обзоре приведены результаты теоретического и экспе- риментального исследования динамики излучения лазерных диодов и оптически связанных двойных диодов. В последнем разделе обзора приведены схемы ряда логических элементов, основанных как на лазерных диодах, так и на лазерах и фотодиодах.

Текст pdf (5 Мб)
PACS: 42.55.Px, 42.60.Fc, 42.60.Jf, 42.60.By, 42.60.Da (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0097.196904a.0561
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1969/4/a/
Цитата: Басов Н Г, Никитин В В, Семенов А С "Динамика излучения инжекционных полупроводниковых лазеров" УФН 97 561–600 (1969)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Dynamics of semiconductor injection lasers
AU Basov, N. G.
AU Nikitin, V. V.
AU Semenov, A. S.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1969
JO Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JA Usp. Fiz. Nauk
VL 97
IS 4
SP 561-600
UR https://ufn.ru/ru/articles/1969/4/a/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0097.196904a.0561

English citation: Basov N G, Nikitin V V, Semenov A S “Dynamics of semiconductor injection lasersSov. Phys. Usp. 12 219–240 (1969); DOI: 10.1070/PU1969v012n02ABEH003934

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение