Выпуски

 / 

1969

 / 

Апрель

  

Обзоры актуальных проблем


Динамика излучения инжекционных полупроводниковых лазеров

 а, ,
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

В настоящем обзоре приведены результаты теоретического и экспе- риментального исследования динамики излучения лазерных диодов и оптически связанных двойных диодов. В последнем разделе обзора приведены схемы ряда логических элементов, основанных как на лазерных диодах, так и на лазерах и фотодиодах.

Текст pdf (5 Мб)
PACS: 42.55.Px, 42.60.Fc, 42.60.Jf, 42.60.By, 42.60.Da (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0097.196904a.0561
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1969/4/a/
Цитата: Басов Н Г, Никитин В В, Семенов А С "Динамика излучения инжекционных полупроводниковых лазеров" УФН 97 561–600 (1969)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Dynamics of semiconductor injection lasers
A1 Basov,N.G.
A1 Nikitin,V.V.
A1 Semenov,A.S.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1969
FD 10 Apr, 1969
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 97
IS 4
SP 561-600
DO 10.3367/UFNr.0097.196904a.0561
LK https://ufn.ru/ru/articles/1969/4/a/

English citation: Basov N G, Nikitin V V, Semenov A S “Dynamics of semiconductor injection lasersSov. Phys. Usp. 12 219–240 (1969); DOI: 10.1070/PU1969v012n02ABEH003934

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение