 |
RSS-ленты |
|
|||||
| Выпуск 10, 2024 |
|
||||||
|
|
|
||||||
Выпуски/1969/Апрель |
← → |
| Обзоры актуальных проблем |
Динамика излучения инжекционных полупроводниковых лазеров
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
В настоящем обзоре приведены результаты теоретического и экспе- риментального исследования динамики излучения лазерных диодов и оптически связанных двойных диодов. В последнем разделе обзора приведены схемы ряда логических элементов, основанных как на лазерных диодах, так и на лазерах и фотодиодах.
|
PACS: 42.55.Px, 42.60.Fc, 42.60.Jf, 42.60.By, 42.60.Da ()
DOI: URL: https://ufn.ru/ru/articles/1969/4/a/ Цитата: Басов Н Г, Никитин В В, Семенов А С "Динамика излучения инжекционных полупроводниковых лазеров" УФН 97 561–600 (1969) English citation: Basov N G, Nikitin V V, Semenov A S “Dynamics of semiconductor injection lasers” Sov. Phys. Usp. 12 219–240 (1969); |
|
© Успехи физических наук, 1918–2024 Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение |